电子科学与技术专业外语翻译

Figure 1-1】图1－1 给出了在三种材料中一些重要材料相关的电阻值（相应电导率ρ≡1/δ)。

However】然而锗不太适合在很多方面应用因为温度适当提高后锗器件会产生高的漏电流。

For a given】对于给定的半导体，存在代表整个晶格的晶胞，通过在晶体中重复晶胞组成晶格。

This structure】这种结构也属于金刚石结构并且视为两个互相贯穿的fcc亚点阵结构，这个结构具有一个可以从其它沿立方对角线距离的四分之一处移动的子晶格（位移 /4）

Most of】多数Ⅲ-Ⅴ 半导体化合物具有闪锌矿结构，它与金刚石有相同结构除了一个有Ⅲ 族Ga原子的fcc子晶格结构和有 Ⅴ族As原子的另一个。

.For example】例如，孤立氢原子的能级可由玻尔模型得出：式中m0 代表自由电子质量, q是电荷量,ε0是真空中电导率, h 是普朗克常数， n 是正整数称为主量子数。

Further decrease】空间更多减少将导致能带从不连续能级失去其特性并合并起来，产生一个简单的带。

As shown】如图1－4（a）能带图所示，有一个大带隙。注意到所有的价带都被电子充满而导带中能级是空的

As a consequence】结果，半满带的最上层电子以及价带顶部电子在获得动能（外加电场）时可以运动到与其相应的较高能级上

At room】在室温和标准大气压下，带隙值硅（ 1.12ev ）砷化镓（1.42ev）在0 K带隙研究值硅（ 1.17ev ）砷化镓（1.52ev）

Thus】于是，导带的电子密度等于把N(E)F(E)dE从导带底Ec （为 简化起见设为0）积分到导带顶Etop

Figure 1-5】图1-5从左到右示意地表示了本征半导体的能带图, 态密度 (N(E)~E1/2), 费米分布函数, 本征半导体的载流子浓度

In an extrinsic】在非本征半导体中， 一种载流子类型增加将会通过复合减少其它类型的数目； 因此，两种类型载流子的数量在一定温度下保持常数

For shallow】对硅和砷化镓中的浅施主,在室温下,常常有足够的热能电离所有的施主杂质,给导带提供等量的电子

We shall】我们先讨论剩余载流子注入的概念。剩余载流子在非平衡条件下会增加，这就是说，载流子的浓度的乘积p*n不等于平衡时ni*ni的值

The thermal】作热的运动单一电子可以形象的当做是原子晶格或杂质原子或其他散射中心碰撞产生的连续随即散射。就像所阐述的

When exce】当载流子浓度过度时就引入一个直接能隙半导体，这在电子和空穴将再直接复合时是很有可能的，因为导带底和价带顶是整队的和没有足够跃迁过能隙的额外的晶体动力 These p-n】这些PN结是根本功能表现如整流,增幅,开关,和另外一些电路元器件

There must】在这个PN结之间一定存在一些经过完整的数学处理将使简单的PN结的活动物理特征难理解；另一方面，在统计时，一个完整的定性分析将没用

However】但是，因为结的偏压的增加导致电场的增大，导致静电流。如果我们明白这4中电流组成的本质，无论有没有偏压，一个合理的PN结理论都成立

With the】有了前一节的背景知识，电流流动的基本特征理解起来相对简单，而这些定性的概念形成了对结中的正向和反向电流的分析性描述的基础

But in most】但是，在大多数的p-n结型器件中，与它的面积相比，每个区域的长度是很小的，而掺杂通常是中等到重度掺杂；因此每个中性区的电阻是很小的，在空间电荷（过渡）区外，只有很小的电压降能被维持

If the doping】如果p区域掺杂大于1019cm-3，那么这种结构无疑就是p+-n，因为np型比pn型要小五个数量级以上。既然这种结构在科技设备上这么普遍应用，我们将在下面做更多的讨论 举例来说，当空穴在Xno 被 电势场领域的p 边在整个联接被扫射的时候，在 n 材料空穴分布有一个倾斜度存在，而且在 n 区域的空穴向结点扩散。重要的是，虽然方向相反的电流发生在结点由于载流子的漂移，这个电流由每边中间区域的两边的少数载流子流入的

The resistivity】一个好的导体电阻率数量级为10－6 ohm*cm，对一个半导体而言，数量级的范围为10－3到10（6）ohm*cm，对绝缘体，可能是10（10）ohm*cm或更大

Above the】以上费米能级，入住概率（一个状态是由一个电子）接近零，低于该标准。因此，费米能级是一种\"顶面\"的电子对分布，类似于一个容器一个面对面的液体

Of great】极重要的是漂移运动是关于载流子浓度和电场两个变量的函数，而扩散运动是关于浓度梯度一个变量的函数

The rate】速率的变化密度承运人在一个点（或积累的运营商在一个地区） ，可以由等同于向合并的影响，交通运输，发电，并在重组这一点（或附近地区） ，其结果是一个延续性方程

Early in the 1950s 】 早在20世纪50年代，shockley提出了用附属双极来描述他新设想的器件，因为两种载流子类型在晶体管作用机理里起重要作用。相反，他描述在场效应的期间中（他所提出的就实用具体器件而言）都是单极的，因为晶体管的工作原理主要还是依赖于单种载流子类型。

The individual BJTs 】分立的双极结型晶体管通过灵活互联可形成具有一定功能的实用化电路，由此可以把含有十万个以上器件的电路集成在同一个硅芯片上。

Since the BJT】 由于晶体管是一个三接线端的器件，其中一端作为输入端和输出端的公共端，其他两端独立并与对应端相联系。

It is a curious 】这是一个难以理解的事实，在发射极和集电极区域的均匀掺杂，且有时也会均匀掺杂在基区突变结，现在技术越来越接近应用最简单分析的观点

In spite of the 】尽管基极电流比较小，但它是非常重要的。因为正如我们所看到的，它是提供给共射极晶体管输入端的控制电流

For example, in a MESFET】半导体场效应晶体管器件中必须减小栅极长度以提高截止频率，必须减少源极和漏极的接触电阻以使频率响应不受RC的限制。

The range of light 】 可见光范围近似为0.4µm到 0.7µm, 紫外光范围为0.01µm 到 0.4µm, 红外光范围为0.7µm 到1000µm.这章中主要感兴趣的范围是从近紫外(~0.3µm) 到近红外(~1.5µm)。 To convert the】 用下式可把波长转换为光子能量，上式中c是真空中的光速， v是光的频率， h是普朗克常数，hv是光子能量，单位为电子伏特，

There are basically】光和固体中电子的相互作用基本上有三个过程；吸收，自发辐射和受激辐射。

The dominant operation】发光二极管中主要的过程是自发辐射；激光器中主要的过程是受激辐射，光电探测器和太阳能电池中主要的过程是吸收。

For example, an electron 】例如导带边的电子和价带边的空穴复合，发射一个能量为禁带宽度的光子

the BJTs is】双极结型晶体管是最常用的共发射极配置，这意味着输入信号施加到基于终端，输出信号从集电极和发射极端子接线，共同投入输出端口

The epitaxial proce offers an important means of controlling the doping profiles so that device and circuit performances can be optimized】外延工艺提供了控制掺杂分布的重要手段，使设备和电路性能可以得到优化

Under these conditions, an overpreure of arsenic is established (1) to cause the transport of arsenic vapor to the gallium melt, converting it into gallium arsenic vapor to the gallium melt, converting it into gallium arsenide, and (2) to prevent decomposition of the gallium arsenide while it is being formed in the furnace】在这种条件下，砷过压的形成（1）是使砷气体输送到镓熔体，使之从砷化镓气体转化到镓熔体，转化为砷化镓，（2）防止砷化镓在（反应炉中）合成过程中分解

The dopant chemistry for arsine is illustrated in a figure, which shows arsine being adsorbed on the surface, decomposing, and being incorporated（合并） into the growing layer】对于砷的掺杂化学可以用一个图来说明，它显示砷化氢被吸附在表面，分解，与被并入到生长层

The first important thin film from the thermal oxide group is the gate oxide layer under which a conduction channel can be formed between the source and the drain】第一个来自热氧化组的重要薄膜是栅氧化层，其下方一个传导通道可在源和漏极之间形成

Dielectric layers （such as the deposited silicon dioxide and silicon nitride） are used for insulation between conducting layers, for diffusion and ion implantation masks掩蔽层, for capping doped films to prevent the lo of dopants, and for paivation钝化层 to protect devices from impurities, moisture湿气, and scratches.】绝缘层/介电层， 例如沉积的二氧化硅和氮化硅， 可用作导电层间的绝缘层， 用于扩散和离子注入的掩蔽层，用于覆盖掺杂的薄膜以防止掺杂损失，用作钝化层 保护器件 不受杂质，湿气和划痕等的影响

Polycrystalline silicon, usually referred to as polysilicon, is used as gate electrode material in MOS devices, as a conductive material for devices with shallow junctions】沉积的二氧化硅，氮化硅等电解质层做为导电层之间的绝缘层，可作为扩散和离子注入时的掩蔽层，也可作为掺杂薄膜之上覆盖层以防止掺杂损失。同时可作为钝化层防止器件受外界杂质、潮湿空气，划痕等的影响

Each film must both perform its intended function and be compatible with the overall proceing sequence, that is, the film must withstand the required chemical treatment and thermal cycle while its structure remains stable】每一层薄膜都必须执行其预设功能，并与整体处理顺序兼容，也就是说，薄膜必须经受必要的化学处理和热循环，而其结构保持稳定

In addition, the puller has an overall microproceor-based control system to control proce parameters such as temperature, crystal diameter, pull rate, and rotation speeds, as well as to permit programmed steps】此外，有一套基于微处理器控制的控制系统对提拉装置进行全面控制，可控制如温度，晶体直径，牵拉速度和旋转速度等，同时可对工艺过程进行编程控制

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