多晶硅主控室岗位职责
推荐第1篇：多晶硅
目前主要还是硅太阳能电池！由于多晶硅价格的猛增，国内已出现多家多晶硅生产厂家，例如：
1.江苏大全集团与世界500强企业德国德固赛公司合作日前大举切入太阳能光伏上游——多晶硅。其与重庆万州区合作，总投资5亿美元、年产6000吨太阳能级和电子级多晶硅工厂项目上月底正式开工。
2.河南省迅天宇科技有限公司，该公司建设的多晶硅一期1000吨/年４Ｎ～５Ｎ级太阳能电池等级多晶硅项目主体工程，
3.辉煌硅能源（镇江）有限公司是一家新成立的外商投资企业，公司总投资约4亿美元
目前公司一期工程已在积极筹建之中，2007年年底公司将正式投产。
4.内蒙古大陆多晶硅太阳能产业基地是由南京大陆投资集团与美国PPP、SCC、西图等国际公司共同投资建设的。作为基地核心的多晶硅项目，总投资180亿元，建设规模为年产多晶硅18000吨，产值达180亿元。项目分三期建设，5年建成。
5.2006年6月，中国南玻集团与宜昌市政府在香港签订了“关于发展多晶硅及太阳能电池产业的合同书”。总投资约60亿人民币，其中：多晶硅项目投资额约30亿元，太阳能电池项目投资额约30亿元。
6.云南曲靖爱硅信3000吨多晶硅项目开工奠基，江苏阳光正投资35亿元在宁夏石嘴山投建年产4000吨多晶硅项目，峨嵋半导体材料厂也在原有200吨多晶硅产量的基础上。
7.江西赛维LDK太阳能高科技有限公司是目前亚洲规模最大的太阳能多晶硅片生产企业总投资近3亿美元公司将正式启动1600兆瓦多晶硅以及15000吨硅料项目，并计划在两年内把公司打造成世界最大的太阳能多晶硅生产企业之一。
推荐第2篇：主控室管理制度
主控室管理制度
1、主控室系生产重地，无关人员不得入内。
2、主控室内应保持肃静，禁止大声喧哗。
3、严肃值班纪律，精心监视仪表、设备；不迟到早退、不打盹、睡觉、不得未经允许擅离岗位。
4、认真操作、认真监护，不麻痺大意、不自以为是、不发生差错。
5、准确纪录数据，不马虎、不迟抄误记、不伪造数据。
6、违章操作、玩忽职守、忽视安全而酿成重要设备损坏及系统运行故障等重大事故，要依据有关规定对事故责任者作出严肃处理，对隐瞒事故真相从严处理。
7、主控室内应保持整洁，不准吸烟，乱丢纸屑杂物，每日应认真完成清洁工作。
主控室值班员职责
1、在实验室负责人的领导下，严格执行各种规章制度，及时监盘、认真填写各种运行记录，搞好电气设备的正常运行维护。
2、负责审查各种现场记录，正确履行工作许可手续，布置现场安全措施。
3、严格执行调度命令，在值班负责人的领导下正确地进行倒闸操作和故障事故处理。
4、认真监视设备运行状况，及时掌握系统运行方式和负荷变化情况，按时巡视设备。
5、搞好文明生产，做好各种记录、图纸、资料、安全用具、仪器仪表的管理工作。
6、认真学习新技术，熟悉新设备，不断提高业务技术水平，对运行设备的故障、事故能正确分析正确处理。
7、完成领导交给的其它工作。
实验室负责人职责
1、根据上级指令，贯彻执行企业标准和各项规章制度，组织当班职工搞好实验室的生产、管理工作，全面完成安全生产和各项经济技术指标。
2、实验室负责人是安全文明生产的第一负责人，必须严格贯彻执行现场运行规程，开展安全教育的安全活动，保证安全生产。
3、掌握系统负荷及设备运行状况，做好事故预想，正确的受令、发令，带领值班员完成实验操作和事故处理。
4、负责实验室人员的技术学习和培训工作，审查各种记录，做好资料归档管理。
5、抓好实验室的文明生产工作，搞好设备管理，使所辖设备完好、整洁、标志齐全。
6、作好实验室职工的思想政治工作，关心职工的思想和生活。
7、完成领导交给的其它工作。
设备定期巡回检查制度
1、设备定期巡回检查制度是保证安全生产的重要措施，值班人员应认真按规定进行巡回检查，及时发现和消除设备的异常情况，保证设备的安全运行。
2、值班员每两小时检查一次所辖设备，试验室负责人每日要对所有运行设备进行一次全面检查。
3、值班人员巡回检查设备应按规定的时间、路线进行。因负荷变化、设备异常、运行方式改变和自然环境变化应进行临时检查和特殊情况检查。
4、值班人员检查设备应携带必要的工具，注意自我保护，发现和怀疑设备异常，应立即报告值班负责人，发现设备缺陷应采取相应措施保证安全生产，填写设备缺陷通知单，通知维修人员。
5、规定巡回检查的设备是：隔离变压器、光伏及锂电池逆变器、超级电容逆变器、模拟负载柜、风力发电机。巡回检查路线：主控室—微网一次设备室—微网蓄电池室—微网二次设备室—风力发电机。
推荐第3篇：主控室管理制度
主控室管理制度
一,坚持为教育教学服务的宗旨,充分发挥计算机网络主控室的作用,培养教职工和学生掌握计算机的能力而制定本管理制度.
二,网络主控室是全校计算机网络的心脏,地位与作用在学校校园网中居中心地位,因此除经网络中心负责的网络管理员的许可外,其他的人员(教师与学生)不得进入网络主控室.
三,进入网络主控室的人员未经网管员的允许,不得使用与挪用主控室中的任何东西(包括微机与其它物品).否则由此出现的网络问题由其负一切负责.
四,网络主控室如果出现问题要及时排除,尽可能地减少对学校工作教学方面的影响,一旦有网络管理员排除不了的问题时,要及时向校长及有关的负责领导汇报,争取早日解决问题.
五,搞好计算机教学,计算机辅助教学和计算机辅助学校管理工作.六,加强主控室管理,注意安全,发现故障及时处理和报告,定期维护和检修,确保设备完好无损,正常工作.
七,严格执行电教器材管理方法,搞好防盗,防火,防雷电工作,不私自外借设备.
八,遵守操作规程,认真负责网络安全,及时查杀计算机网络病毒,保证学校网络顺畅.
推荐第4篇：主控室管理制度
主控室管理制度
1、非主控室工作人员严禁进入主控室，外部人员必须经厂领导批准方可进入，并登记出入时间。
2、主控室内禁止高声喧哗、打闹，保持安静。
3、电气柜内不得私自乱接电源，对讲机充电应用专用电源。
4、电气仪表如有故障，请及时通知相关人员修理，禁止私自拆卸。
5、不得用湿布擦抹电器、仪表，以防触电。。
6、电气设备如有异味着火，请通知相关人员断电后，用干粉灭火
器灭火。
7、主控室应保持清洁卫生，每班打扫，班班交接，地面、门窗保持清洁明亮，主控室监视器、操作台保持无灰尘。
8、主控室内工具应注意保管，清点后再交班。
9、在主控室内不得堆放个人物品。
10、公共用品应摆放整齐，严禁在主控制室内吸烟。
山东国舜新科
2013-12-26
操作工工作职责
1、主控室操作工应认真、如实填写记录，严禁弄虚作假。
2、记录应做到清晰、明了、准确，真实记录当班情况。
3、事故停车应记录内容：每次停车停风时间、事故原因，停车开车操作等。
4、记录本、记录表做到整齐、干净、严禁涂改、乱写乱画。
5、对周期、煤比、青石重量重要技术参数，在没有经领导许可情况下，严禁私自变动，参数调整应记清命令传达人、调整时间及参数变动情况。
6、在没有停风状态下，严禁入窑操作。
7、对值班长、司炉工等所下的有安全隐患或不合理指令，有权不执行，没有制止对于造成事故的，应负相应责任。
10、认真执行交接班制度，交接清楚应注意事项，不得影响生产。
11、停风不生产时，必须将小车停放到底。
12、如需停车检修时，须挂牌作业；挂牌人摘牌、值班长通知后，方可重新开车。
山东国舜新科
2013-12-26
班长工作职责
1、班长是本班生产的组织者、指挥者、技术操作者。认真完成厂领导布置的各项任务，组织本班完成生产计划。
2、按照已制定的操作方针，遵照技术操作规程，搞好本班技术操 作。 要经常巡视原、燃料，及时掌握本班原燃料情况，做到心中有数。
3、严格控制焦比、风量、风压，稳定炉况，使炉窑常处于良好状态。严格监督检查各岗位工作情况，保证符合工艺要求。
4、有权制止任何违反工艺纪律、盲目生产的行为。
5、严格遵守交接班制度，认真填写交接班记录，交班要交炉况、质量、产量、设备运行状况，交本班生产问题处理情况，并向下班提出自己的参考意见，清晰填写交接班记录。
6、组织本班职工搞好设备维修及保养工作，检查各岗位卫生。
7、班长为本班安全监督员，负责本班职工安全教育，组织本班安全生产。
8、班长负责本班考勤，接班前召开班会，布置本班工作。
9、重大事情必须立即向厂领导汇报。
山东国舜新科
2013-12-26
化验室职责及规定
1、遵守公司各项规章制度，爱厂如家，认真学习新技术，不断提 高业务水平，认真完成本职工作及上级交办的临时任务。
2、负责各种原料、成品的检测，并提供准确的分析数据，特殊事宜及时按程序上报。
3、严格执行相关安全技术规程和专业操作规程，提出并制定原料、成品的储存措施及相关标准。
4、对外化验要凭相关人员的批准手续方可接受，并做好记录，特殊情况由公司经理审批。
5、任何人未经批准，不得进入化验室。
6、若有违规，视情况给予教育或罚款，造成经济损失及不良影响者，将严肃处理。
山东国舜新科
2013-12-26
推荐第5篇：主控室责任书
为了充分发挥网络信息的教育教学功能和信息技术服务、传播功能，管理使用好网络信息主控室设备，更好地为项目培训服务，为师生服务，提高教育教学质量。特制定本制度。
一、管理操作人员要热爱本职工作，忠于职守，开拓创新。
二、管理人员要做好防盗、防火、防潮、防尘、防静电、防触电、防磁、防震动等工作，保证设备完全和环境整洁。
三、管理人员要积极钻研业务，做好硬件和软件的维护工作，将设备运行和计划实施情况定期向领导小组汇报，出现重大故障汇报要及时。
四、室内设备，除管理操作人员外，任何人不得擅自操作。
五、管理人员要及时填写设备运行记录。
六、管理人员要有计划地下载和制作光盘、磁带等网络信息资源，并及时整理归档。
七、讲究卫生，不乱扔纸屑，不吸烟，不随地吐痰。保持室内卫生清洁。
八、严禁携带易燃、易爆等物品进入本室。
九、室内设备不许外租、外借。
推荐第6篇：多晶硅生产
多晶硅生产工艺
多晶硅生产工艺
1．概述
硅是地球上含量最丰富的元素之～ ，约占地壳质量的25．8％ ，仅次于氧元素，居第二位。硅在地球上不存在单质状态，基本上以氧化态存在于硅酸盐或二氧化硅中，其表现形态为各种各样的岩石，如花岗岩、石英岩等。
硅是一种半导体元素，元素符号为Si，位于元素周期表的第三周期第四主族，原子序数为14，原子量为28.0855。硅材料的原子密度为5.OOx1022／cm。，熔点为141 5℃，沸点为2355 ℃
它在常温(300K)下是具有灰色金属光泽的固体，属脆性材料。
硅材料有多种形态，按晶体结构，可分为单晶硅、多晶硅和非晶硅。
单晶硅材料，是指硅原子在三维空间有规律周期性的不问断排列，形成一个完整的晶体材料，材料性质体现各向异性，即在不同的晶体方向各种性质都存在差异。
多晶硅材料，是指由两个以上尺寸不同的单晶硅组成的硅材料，它的材料性质体现的是各向同性。
非晶硅材料，是指硅原子在短距离内有序排列、而在长距离内无序排列的硅材料，其材料的性质显示各向同性。
通常硅晶体的晶体结构是金刚石型，有9个反映对称面、6条二次旋转轴、4条三次旋转轴和3条四次旋转轴，其全部对称要素为3L44LS6L 9PC。如果加压到1.5GPa，硅晶体就会发生结构变化，由金刚石型结构转变为面心立方结构，此时的晶体常数为0.6636nm。
硅材料是应用最广泛的元素半导体材料，具有其他元素不具有的一些特性，在室温下它的禁带宽度为1.1 2eV，其本征载流子浓度为1.45x10 D／cm。。硅材料具有典型的半导体电学性质。 硅材料的电阻率在10 ～1010Ω·cm 间，导电能力介于导体和绝缘体之间。
特性
其导电性受杂质、光、电、磁、热、温度等环境因素的影响明显。高纯无掺杂的无缺陷的硅晶体材料，称为本征半导体，其电阻率在10 Ω·cm以上。
P-N结构性。即N型硅材料和P型硅材料结合组成PN结，具有单向导电性等性质。这是所有硅半导体器件的基本结构。
光电特性。和其他半导体材料一样，硅材料组成p—N结后，在光的作用下能产生电流，如太阳能电池。
2．高纯多晶硅
目前高纯多晶硅的大规模生产，被美国、日本和德国等少数发达国家所垄断。当前世界多晶硅的主要供应商有Hemlock W acker M EMC ASiMi Tokuyama KomatsuMitsubishi、SEH等公司。
冶金级硅是制造半导体多晶硅的原料，它由石英砂(二氧化硅)在电弧炉中用碳还原而成。尽管二氧化硅矿石在自然界中随处可见，但仅有其中的少数可以用于冶金级硅的制备。
一般说来，要求矿石中二氧化硅的含量应在97％～98％以上，并对各种杂质特别是砷、磷和硫等的含量有严格的限制。冶金硅形成过程的化学反应式为：
冶金硅主要用于钢铁工业和铝合金工业，要求纯度为98％。纯度大于99％的冶金硅，则用于制备氯硅烷。
在用于制造高纯多晶硅的冶金硅中，除了含有99％ 以上的Si外，还含有铁(Fe)、铝(AI)、钙(Ca)、磷(P)、硼(B)等，它们的含量在百万分之几十个到百万分之一千个(摩尔分数)不等。
而半导体硅中的杂质含量应该降到10 (摩尔分数)的水平，太阳级硅中的杂质含量应降到10～6(摩尔分数)的水平。
3.冶金硅→半导体硅或太阳级硅
要把冶金硅变成半导体硅或太阳级硅，显然不可能在保持固态的状态下提纯，而必须把冶金硅变成含硅的气体，先通过分馏与吸附等方法对气体提纯，然后再把高纯的硅源的气体通过化学气相沉积(CVD)的方法转化成为多晶硅。
生产制造高纯多晶硅的办法
主要有三大流派，即：
用SIMENS法(又称SiHCI3法)生产多晶硅棒； 用ASiMi法(又称SiH 法)生产多晶硅棒： 利用Sil硅源制造颗粒状多晶硅。
SIMENS（西门子）法
(SiHCI3法)制造多晶硅
该法于1954年推出，随即淘汰了当时使用的SiCI 锌还原法，而成为迄今一直使用的方法。它的第一步，是在250～350℃的温度下让冶金硅粉末和氯化氢在流化床上反应；
第二步，是对SiHCI3进行分馏，在这一过程中可以把具有不同沸点的氯化物分离出来；第三步，是硅的沉积。多晶硅反应炉一般均采用单端开口的钟罩形式。通常多晶硅的沉积反应要进行200～300h，使沉积在硅桥上的硅棒直径达到150-200 m m。
ASiMi法(SiH法)
ASiMi法(SiH法)制造多晶硅
20世纪60年代末期，ASiMi公司（美国先进硅材料公司简称AsiMI（阿斯米公司）公司总部位于美国蒙大拿州比优特城。生产超高纯度多晶硅和硅烷气体，是世界最大的硅烷气体生产和销售商。）提出了用SiH 作为原料生产多晶硅。
利用SiH 原料制造多晶硅棒，一般使用金属钟型罩炉。在高温时，SiH 会分解产生Si与H2。此法的总生产成本要比SiHCI3法为高。
Ethyl公司的SiH 法
颗粒状多晶硅制造技术
此法起源于Ethyl公司(美国乙基公司作为全球知名的添加剂制造商，现跻身于全球三大石油添加剂制造商之列。乙基公司采用全球领先的添加剂技术，开发生产全系列的燃料油与润滑油添加剂。)的SiH 法。
1987年商业化的粒状多晶硅开始投入生产。该技术利用流体床反应炉将SiH 分解，而分解形成的硅则沉积在一些自由流动的微细晶种颗粒上，形成粒状多晶硅。由于晶体表面积很大，使得流体床反应炉的效率高于传统的Simens炉，因而其产品的生产成本较低。
推荐第7篇：主控室运行管理条例
运行人员八条纪律
一． 严肃值班纪；精心监视仪表、设备，不迟到早退、不打盹、睡觉、不围座闲谈、不看书报、不干私活、不擅离岗位。
二． 服从命令听指挥，坚持执行调度命令和上级指示、不推诿、不拖延、不阳奉阴违。
三． 准点抄表、准确纪录，不马虎、不迟抄误记、不伪造数据。
四． 准确分析事故，障碍和异常，不隐瞒，不包庇、不弄虚作假。
五． 认真操作、认真监护，不麻痺大意、不自以为是、不发生差错。
六． 严字当头，检修质量不合格不投运，安全措施不完善不开工，工作票不终结不送电。
七． 交接班要交得清楚，接得明白，不含糊、不扯皮、不搞形式主义。
八． 巡回检查要细看、细听、细查、细分析，不走马观花、不敷衍了事。
值班员职责
1.在值班负责人的领导下，严格执行各种规章制度，及时监盘、认真填写各种运行记录，搞好电气设备的正常运行维护。
2.负责审查各种现场记录，正确履行工作许可手续，布置现场安全措施。
3.严格执行调度命令，在值班负责人的领导下正确地进行倒闸操作和故障事故处理。
4.监视设备运行状况，掌握运行方式和负荷变化情况，按时巡视设备、抄表、
计算有、无功电量。
5.搞好文明生产，做好各种记录、图纸、资料、安全用具、仪器仪表的管理工
作。
6.认真学习新技术，熟悉新设备，不断提高业务技术水平，对运行设备的故障、
事故能正确分析正确处理。
7.完成领导交给的其它工作。
运行人员职业道德
一.发扬：发扬艰苦奋斗，注意效益，团结协作，爱厂如家，勤奋求实，开拓创
新的精神。
二.树立：牢固树立“预防为主，安全第一“的思想：树立运行为用户服务的思
想。
三.坚持：
1.坚持“两票三制“（即工作票、操作票、交接班制、巡回检查制、设备保养
制）；
2.坚持分析事故“三不放过、五同进”（在计划、布置、检查、考核、总结工
作的同时有安全工作内容）；
3.坚持“三老四严”的作风（说老实话、办老实事、当老实人、严肃工作态
度，严守劳动纪律，严格规章制度，严防人为误操作事故）。
四.要求：要求居安思危，警钟长鸣；
要求值班操作，严细成风；
要求上下联系，互相尊重；
要求密切配合，热情主动。
五.做到：服从命令，顾全大局；遵章守纪，忠诚老实；钻研技术，熟练操作；
团结协作，互相关心；文明。
值长（值班负责人）职责
1． 根据上级指令，贯彻执行企业标准和各项规章制度，组织本值职工搞好值内
的生产、管理工作，全面完成安全生产和各项经济技术指标。
2． 值班长是值内安全文明生产的第一负责人，必须严格贯彻执行现场运行规
程，开展安全教育的安全活动，保证安全生产。
3． 掌握系统负荷及设备运行状况，做好事故预想，正确的受令、发令，带领值
班员进行倒闸操作和事故处理。
4． 严格执行规章制度，负责两票的审核，组织并正确实施安全措施。
5． 负责本值的技术学习和培训工作，审查各种记录，做好资料归档管理。
6． 搞好本值的文明生产，搞好设备管理，使所辖设备完好、整洁、标志齐全。
7． 作好值内职工是思想政治工作，关心值内职工的思想和生活。
8． 完成领导交给的其它工作。
运行交接班制度
第1条 运行交接班制度是保证安全生产的重要组织措施，因此，必须认真的做
好交接班工作。接班者做到对设备心中有数，交班者做到安全文明。
第2条 运行人员接班必须遵守下列规定：
1．接班前四小时不允许喝酒，应精力充沛；
2．值班人员特殊情况小请假，必须在接班四小时前办理请假手续；
3．不允许不允许私自换（代）班；
4．接班应提前15分钟进入车间，按岗位对应交接班检查，听取交班者交待，查阅值班记录，了解设备运行状况；
5．接班时运行方式不清楚、交班记录不齐全，资料、器材不齐应待询问清楚再接班；
6．操作或事故处理未结束，应待操作、事故处理结束或告一段落方可接班；
7．交班清洁未做或交班清洁差应待交班者做完清洁后再接班；
8．接班前值长必须召开班前会，接班者应着装整洁，严肃认真，值长或值班负责人签名后，交接班方告结束。
第3条 运行人员交接班必须遵守下列规定：
1．交班前30分钟，应做好车间卫生和各种记录工作。
2．交班前按定置图整理，摆放好各种记录簿、备品、备件安全用具。
3．交班应交待上级的指示和调度命令；设备运行方式和运行状况；运行操作情况；设备缺陷及处理情况；设备的检修和安全措施实施或拆除情况；班内所做的各种维护、切换、试验工作及结果；设备故障、异常、发生的事故及处理情况；应提醒接班者注意的情况等。
4．检查核对设备运行状况。
5．按规定接班人员不够或值长（值班负责人）未到位，不允许交班。
6．在交班过程中，若发生设备异常或事故、双方应立即停止交接班，由交班人员负责处理，接班人员应积极配合。
7．为接班者创造良好的接班条件。
8．交班完毕，应在值长组织下开好班后会，总结当班的安全生产情况，表扬好人好事和认真执行规章制度者，批评违反劳动纪律和规章制度者。
发电运行管理讲文明、树新风公约
1．树立崇高的职业理想，高尚的职业情感，纯正的职业作风，严格的职业纪律，娴熟的职业技能，做好供电窗口服务。
2．讲求文明礼貌，站立接待来访参观人员，态度要真诚，语言要温和，热情大方。
3．端正运行值班工作风气，提倡文明用语。不伏，不卧，不粗俗搭脚在主控桌，办公桌，姿正风雅，举止端正，精神饱满。
4．提倡你丢我捡，你擦我扫，你督我促，保持“四洁”，设备整洁，站区整洁，值班工作室整洁，各种记录整洁。
5．提倡自立、自爱、自重、自强、洁身自好 ，奉公守法，诚实为人。
6．提倡同心同德，集中统一，互帮互学，团结协作危难互助，同舟共济，邻里和睦。
7．提倡互相尊重，互敬互爱，不乱丢烟头，果皮、纸屑、不随地吐痰，遵守公共秩序和有关规定，维护环境优美。
8． 严格履行岗位职责，执行运行操作规程和各种工作规程，遵守各项规章制
度，视责任重于泰山。
设备定期巡回检查制度
第一条 设备定期巡回检查制度是保证安全生产的重要措施，值班人员应认真按
规定进行巡回检查，及时发现和消除设备的异常情况，保证设备的安全运行。
第二条 值班员每小时检查一次所辖设备，值班负责人每两小时对全站设备
进行一次全面检查，站长、技术员每周
第三条 值班人员巡回检查设备应按规定的时间、路线进行。负荷变化、设备异
常、运行方式改变和自然环境变化应进行临时检查和特殊情况检查。
第四条 值班人员检查设备应携带必要的工具，注意自我保护，检查中要用眼看、
耳听、手摸等方式进行，发现和怀疑设备异常，应立即报告值班负责人，发现设备缺陷应采取相应措施保证安全生产，填写设备缺陷通知单，通知维修人员。
第五条 规定巡回检查的设备是：发电机、水轮机各大轴承及油、气、水系统，
运行设备、备用设备和检修设备。巡回检查路线：主控室—高压室—主厂房—升压站。
推荐第8篇：网络主控室工作计划
2013-2014学年第二学期
白鹤小学主控室工作计划
围绕学校2014年学校工作重点，坚持科学发展观，充分发挥学校网络电教中心的技术指导和管理职能，强化服务意识、责任意识、发展意识，巩固我校数字化校园建设成果，不断完善信息化建设水平，大力推进教育现代化进程，科学、规范、高效抓管理，求真、务实、优质育人才，办优质教育。
一．工作指导思想:
以提高我校数字化校园建设为中心，以网络备课、微录播系统推广及应用为契机，围绕建设数字化校园总目标，切实推进全市教育信息化“三通两平台”建设（宽带网络校校通、优质资源班班通、网络学习空间人人通，建设教育资源公共服务平台、教育管理公共服务平台），优化现代教育手段与学科的深度整合，加快学校网络及网站建设；做好学校信息化教学设备管理、维护、规范使用等工作；增强服务意识，努力提高部门间协作水平，为广大师生提供一流的网络及服务，确保学校信息化教学设备安全稳定运行，为学校发展做出更大的贡献。
二、工作目标：
1、在确保校园网安全畅通运行的前提下，积极推进我校校园数字化建设，充分利用网络信息技术，为我校教学、科研和管理提供优质的网络、技术服务。
2、建设积极有效的基于网络的校园管理系统，加强网上学习的平台建设，提高远程访问的质量和效果，不断开辟为教学服务的新领域、新项目。
3、进一步加强我校网络系统维护和安全检查制度的落实，加强网络信息安全管理。
4、围绕信息技术在教育教学中的“服务、研究、培训、督管”的工作职能，扎实、有效和创造性地开展工作。
三、工作任务
1、加强硬件管理和维护、规范设备的使用
做好信息化教学设备的“管、护、用”工作。认真执行有关设备使用及报修制度，除对日常报修做到第一时间解决外，还要对设备进行定期的检测维护。提高信息化教学设备设备的使用率，鼓励教师充分利用教学资源，提高教学成效，及时做好信息化教材的征订和收发工作，并做到专款专用，有帐可查。
2、高效有序，做好网络维护，网站管理、宣传工作
（1） 学校网站的制作、维护、管理。
本学年做好学校网站建设，通过校园网加强教学信息的交流，呈现我校的风貌，及时发布我校的最新情况，让外界通过网站达到对我校的客观准确认识，使其成为我校对外宣传的一个重要窗口。
3、确保学校网络设备安全稳定运行，增设网络安全设备，逐步绑定各节点IP，过滤不良信息，配合安保处监管网络舆论舆情。
4、增强服务意识，努力提高教师信息化素养
教师信息化素养的提高是实现我校数字化校园建设重要组成部分，开展丰富多彩的校本培训则是提高教师信息化素养的便捷途径。本学年将对全体教师进行网络环境下计算机安全使用的习惯养成，常用工具软件安装与使用，图形图像处理技巧与课件制作、各类教学设备的保养及正确使用等方面进行专题培训。
5、做好主控室的财产登记、定期检修、日常的维护工作，确保服务器、交换机运行良好，保证学校网络畅通。
6、做好学校的网络安全工作，及时下载、升级杀毒软件，必要配备流量监控、绿色上网软件，努力营造良好的上网环境。
7、主控室承担着程控电话、主计算机房、学校监控总负责室，要做到及时维护、发现问题及时解决，配合做好学校的安保工作。
8、做好主控室的卫生、通风、干净、整齐。
9、建立主控室开机、使用登记制度、健全学校网络主控室档案。
10、加强部门协作，做好学校相关工作。
（1） 配合学校做好各类活动，进行摄影、摄像，图片、影像资料处理存档工作及摄影、摄像器材的使用、管理与维护。
（2）会议厅音响系统的管理调试与使用。
2014年2月
推荐第9篇：主控室管理规定
主控室管理规定课件内容
DCS系统是装置生产操作和管理的关键设备，为了给系统提供良好的运行环境，确保DCS系统的长期稳定运行，特制定本制度。
1、遵守劳动纪律。
七不准
（1）不准迟到、早退、矿工（2）不准酒后上班和工作时间内饮酒；
（3）不准聚众闹事、打架斗殴、纠缠和漫骂他人；
（4）不准做私事、干私活；
（5）不准上班时玩手机和用工作电脑玩电子游戏、浏览与工作无关的网络信息；
（6）不准打闹、闲聊、下棋、打牌和赌博；
（7）不准上班看小说、串岗、睡岗；
2、遵守工艺管理规定。
（1）、主控室操作员不能随意屏蔽电脑界面的声光报警。
（2）、参数异常应及时向车间工艺管理人员汇报。
（3）工艺参数更改、调整必须经过车间工艺管理人员批准。
（4）各操作员不得操作他人参数、确认他人报警，应相互学习，相互提醒。
（5）各中控室员应保持相关关操作记录及时、准确、干净、整洁。
3、协调联系时语言规范。
（1）随时保持对讲机、电话等通讯设施畅通。
（2）参数异常，及时与现场进行联系。
（3）对讲机讲话要简洁、清晰、准确。
（4）指令发出后必须由发出人收回，确认。
4、物品摆放整齐有序。
（1）电脑桌上保持整洁，不经常使用的文件放在专门柜子里。
（2）电脑显示器、键盘摆放到固定位置。
（3）椅子不坐后靠墙整齐摆。
（4）不随意改动空调、花盆位置，利用空调设备，保持控制室
温度在25℃左右。
5、遵守公司及车间交接班制度（6交6不交）。交接班的程序：
1、交接班的准备工作一律在交接前15分钟完成；
2、交接班时，接班人员必须进行先检查后接班的程序。
六交：
1、交本班任务的完成情况;
2、交设备的运行情况；
3、交不安全因素以及采取的预防措施和事故处理情况；
4、交原始记录是否完整；
5、交上级指示、要求和注意事项；
6、交岗位设备保洁和区域卫生情况。
六不交：
1、生产不正常、事故未处理完不交；
2、设备有问题，原因不清楚不交；
3、岗位卫生未搞好不交；
4、记录不清楚、不准确不交；
5、车间交代本班的任务未完成不交；
6、公用工具不齐全不交。
6、遵守公司保密制度。
1、凭门卡进入控制室、进出中控室要随手关门。
2、外单位来厂参观、学习人员,必须经工艺等相关部门同意,
办理相关手续后,并在专人陪同下方可进入控制室。
3、操作电脑界面时必须登录自己账号、密码，离开时退出自
己账号。
4、为了严防电脑病毒对系统造成危害，严禁在DCS系统的任
一操作员站及服务器上使用与系统无关的任何光盘、软盘。
5、控制室禁止拍照，如需拍照、摄像必须经过相关领导批准。
推荐第10篇：多晶硅行业准入条件
《多晶硅行业准入条件》发布
中华人民共和国工业和信息化部
中华人民共和国国家发展和改革委员会
中华人民共和国环境保护部
公告
工联电子[2010]137号
为深入贯彻落实科学发展观，促进多晶硅行业节能降耗、淘汰落后和结构调整，引导行业健康发展，根据国家有关法律法规和产业政策，工业和信息化部、国家发展改革委、环境保护部会同有关部门制定了《多晶硅行业准入条件》，现予以公告。
有关部门在对多晶硅建设项目核准、备案管理、土地审批、环境影响评价、信贷融资、生产许可、产品质量认证等工作中要以本准入条件为依据。
二〇一〇年十二月三十一日
附件： 多晶硅行业准入条件
附件：多晶硅行业准入条件
为深入贯彻落实科学发展观，规范和引导多晶硅行业健康发展，坚决抑制行业重复建设和产能过剩，根据国家有关法律法规和产业政策，按照优化布局、调整结构、节约能源、降低消耗、保护环境、安全生产的原则，特制订多晶硅行业准入条件。
一、项目建设条件和生产布局
（一）多晶硅项目应当符合国家产业政策、用地政策及行业发展规划，新建和改扩建项目投资中最低资本金比例不得低于30％。严格控制在能源短缺、电价较高的地区新建多晶硅项目，对缺乏综合配套、安全卫生和环保不达标的多晶硅项目不予核准或备案。
（二）在依法设立的基本农田保护区、自然保护区、风景名胜区、饮用水水源保护区，居民集中区、疗养地、食品生产地等环境条件要求高的区域周边1000米内或国家、地方规划的重点生态功能区的敏感区域内，不得新建多晶硅项目。已在上述区域内投产运营的多晶硅项目要根据该区域有关规划，依法通过搬迁、转停产等方式逐步退出。
（三）在政府投资项目核准新目录出台前，新建多晶硅项目原则上不再批准。但对加强技术创新、促进节能环保等确有必要建设的项目，报国务院投资主管部门组织论证和核准。
二、生产规模与技术设备
（一）太阳能级多晶硅项目每期规模大于3000吨/年，半导体级多晶硅项目规模大于1000吨/年。
（二）多晶硅企业应积极采用符合本准入条件要求的先进工艺技术和产污强度小、节能环保的工艺设备以及安全设施，主要工段、设备参数应能实现连续流程在线检测。
三、资源回收利用及能耗
（一）新建多晶硅项目生产占地面积小于6公顷/千吨。现有多晶硅项目应当厉行节约集约用地原则。
（二）太阳能级多晶硅还原电耗小于80千瓦时/千克，到2011年底前小于60千瓦时/千克。
（三）半导体级直拉用多晶硅还原电耗小于100千瓦时/千克，半导体级区熔用多晶硅还原电耗小于120千瓦时/千克。
（四）还原尾气中四氯化硅、氯化氢、氢气回收利用率不低于98.5%、99%、99%。
（五）引导、支持多晶硅企业以多种方式实现多晶硅-电厂-化工联营，支持节能环保太阳能级多晶硅技术研发，降低成本。
（六）到2011年底前，淘汰综合电耗大于200千瓦时/千克的太阳能级多晶硅生产线。
（七）水资源实现综合回收利用，水循环利用率≥95%。
四、环境保护
（一）新建和改扩建项目应严格执行《环境影响评价法》，依法向有审批权限的环境保护行政主管部门报批环境影响评价文件。按照环境保护“三同时”的要求，建设项目配套环境保护设施并依法申请项目竣工环境保护验收，验收合格后方可投入生产运行。未通过环境评价审批的项目一律不准开工建设。现有企业应依法定期实施清洁生产审核，并通过评估验收，两次审核的时间间隔不得超过三年。
（二）废气
尾气及NOx、HF酸雾排放部位均应当配备净化装置，采用溶液吸收法或其他方法对其净化处理，废气排放达到《大气污染物综合排放标准》（GB16297）和污染物排放总量控制要求。项目所在地有地方标准和要求的，应当执行地方标准和要求。
（三）废水
按照法律、行政法规和国务院环境保护主管部门的规定设置排污口。废水排放应符合国家相应水污染物排放标准要求。凡是向已有地方排放标准的水体排放污染物的，应当执行地方标准。
（四）固体废物
一般工业固体废物的贮存应符合《一般工业固体废物贮存、处置场污染控制标准》（GB18599），对产生的四氯化硅等危险废物，应严格执行危险废物相关管理规定。
（五）噪声
厂界噪声符合《工业企业厂界环境噪声排放标准》（GB12348）。
五、产品质量
企业应有质量检验机构和专职检验人员，有健全的质量检验管理制度。半导体级多晶硅产品符合国家标准GB/T12963所规定的质量要求，太阳能级多晶硅产品符合国家标准所规定的质量要求。
六、安全、卫生和社会责任
（一）多晶硅项目应当严格遵循职业危害防护设施和安全设施“三同时”制度要求。企业应当遵守《安全生产法》、《职业病防治法》等法律法规，执行保障安全生产的国家标准或行业标准。
（二）企业应当有健全的安全生产组织管理体系，有职工安全生产培训制度和安全生产检查制度。
（三）企业应当遵守《危险化学品安全管理条例》（国务院令第344号）、《危险化学品建设项目安全许可实施办法》（国家安全生产监督管理总局令第8号）、《安全预评价导则》、《危险化学品建设项目安全评价细则（试行）》（安监总危化[2007]255号）及相关规定，依法实施危险化学品建设项目安全许可和危险化学品生产企业安全生产许可，获取《安全生产许可证》后方可投入运行。
（四）企业应当有职业危害防治措施，对重大危险源有检测、评估、监控措施和应急预案，并配备必要的器材和设备。尘毒作业场所达到国家卫生标准。
（五）企业应当遵守国家法律法规，依法参加养老、失业、医疗、工伤等保险，并为从业人员缴足相关保险费用。
七、监督与管理
（一）工业和信息化部负责多晶硅行业管理，会同国家发展改革委、环境保护部以联合公告形式发布符合准入条件的多晶硅企业名单，形成《多晶硅行业准入名单》，实行社会监督、动态管理。
（二）对现有项目：
1.企业应对照准入条件编制《多晶硅行业准入申请报告》并通过当地工业和信息化主管部门报送工业和信息化部。 2.省级工业和信息化主管部门负责受理本地区多晶硅企业的申请，按准入条件要求会同同级发展改革部门、环境保护部门对企业情况进行核实并提出初审意见，附企业申请材料报送工业和信息化部。 3.工业和信息化部收到申请后，会同有关部门对企业申请材料组织审查，对符合准入条件的企业进行公示，无异议后予以公告。 对不符合准入条件的企业，工业和信息化部通知省级工业和信息化主管部门责令企业整改，整改仍不达标的企业应当逐步退出多晶硅生产。
（三）对新建和改扩建项目：
1.国务院投资主管部门按照准入条件要求对新建和改扩建项目组织论证和核准。 2.企业应自投产之日起半年内申请，省级工业和信息化主管部门会同同级发展改革部门对其进行检查并提出检查意见，附企业申请材料报送工业和信息化部。工业和信息化部对企业申请材料组织审查，对符合准入条件的企业进行公示，无异议后予以公告。 对不符合准入条件的企业，工业和信息化部通知省级工业和信息化主管部门责令企业整改，整改仍不达标的企业应当停止多晶硅生产。
（四）地方工业和信息化主管部门每年要会同有关部门对本地区企业生产过程中执行准入条件的情况进行监督检查，工业和信息化部组织有关部门对公告企业进行抽查。
（五）公告企业有下列情况，将撤销其公告资格： 1.填报资料有弄虚作假行为； 2.拒绝接受监督检查； 3.不能保持准入条件要求； 4.发生重大安全和污染责任事故； 5.违反法律、法规和国家产业政策规定。
（六）对不符合规划布局、生产规模、资源利用、环境保护、安全卫生等要求的多晶硅项目，投资管理部门不予核准和备案，国土资源管理、环境保护、质检、安监等部门不得办理有关手续，金融机构不得提供贷款和其它形式的授信支持。
（七）有关行业协会、产业联盟、中介机构要协助做好准入条件实施工作，组织企业加强协调和自律管理。
八、附则
（一）本准入条件适用于中华人民共和国境内（台湾、香港、澳门地区除外）所有类型的多晶硅企业和项目。
（二）本准入条件涉及的法律法规、国家标准和行业政策若进行修订，按修订后的规定执行。
（三）本准入条件自发布之日起实施，由工业和信息化部负责解释，并根据行业发展情况和宏观调控要求会同有关部门适时进行修订。
第11篇：多晶硅行业研究报告
多晶硅行业研究报告
2008年将注定是全球可再生能源行业发展的里程碑的年份，在中国，年初的多晶硅热潮为这个新的年份拉开热情澎湃的序幕，我们愿意为大家分享我们对行业的观点：
第一个观点是多晶硅供需到2010年仍不会出现大范围过剩，这是基于供给和需求做出的判断；对多晶硅供应的分析我们在之前的各次报告中多次提及，包括主要大厂的扩产计划和新技术的使用。需求是我们分析的重点，其要点有二：一是欧美市场的迅速启动，尤其是美国大选对于新能源行业的重大影响值得重点关注；二是的电池片环节的产能率不到60%，成为多晶硅扩产的缓冲池；多晶硅厂属于化工联合企业，技术难度是全方位的，包括技术路线、设备选型、调试、运行、检测等环节，门槛相当高，这是我们强调的第二点；
多晶硅企业的技术难度在于整体性的技术瓶颈，而非几个关键技术诀窍，而在国内能大规模生产之前，国际大厂不会进行技术转移，PPP之类企业以建造为主，并无完整技术转让；国内目前投产的企业技术来源均是739和740厂，这一点值得玩味。
第三点：新光硅业是目前国内唯一产量近千吨的大厂，我们预计2008年可以实现净利润11.6亿元，与新光硅业（一期及二期）相关的企业包括川投能源、天威保变、乐山电力和岷江水电。
观点一：多晶硅供需到2010年仍不会出现大范围过剩
原因一：太阳能电池环节（Cell）的产能率不到60%
2004年开始的全球太阳能热潮使得太阳能电池生产线的建设如火如荼，但硅料的供应使得当年诸多购买建设的电池生产线处于停工半停工状态；根据目前的估计，全球太阳能电池片产能利用率约55%，也就是说目前的太阳能电池生产线有接近一半处于闲置状态；考虑目前主流的30mw生产线数千万之巨的投资规模和太阳能电池行业硬件设备迅速的更新换代，只要电池生产的盈利高于变动成本，对厂商来说，生产就是比闲置更理性的选择；因此，我们认为电池片环节的低产能利用率是整个多晶硅供应的蓄水池，即使多晶硅产能扩张一倍，也会被下游的电池环节吸收；而
对电池产量翻番能否为下游接受的问题我们下面马上，这就是便于的新能源发展热潮有望超过我们的预期。
原因二：欧美太阳能市场将面临爆发式增长
我们对2008年以后的欧美太阳能市场寄予厚望，认为将面临爆发式增长，原因有二：政府支持图谋的加大和新技术的可能出现，后者的影响主要是在，这里我们主要分析前者：
美国是全球新能源市场发展的最大动力，尽管参院的PTC审议遇到障碍，但各州的支持图谋不断加大，而民主党总统候选人的政策主张更加令人振奋；
民主党的总统候选人Hilary Clinton和Barack Obama的新能源主张中最重要的就是到2025年将美国的可再生能源发电比例提高到25%，考虑到这一比例目前不超过1%，未来的美国市场规模望而生畏；
欧洲，除了新能源的龙头国家德国外，西班牙、意大利对新能源的支持力度也相当之大，就连主要以核电为主的法国也有了自己的新能源发展规划，在2020年以前太阳能装机3000mw；
我们认为，行业中短期的最大推动在于各国政府尤其是欧美发达国家政府的支持，而不断高涨的能源价格和传统能源产地的地缘政治境况不断恶劣是欧美国家发展新能源的强大动力；
观点二：新光硅业是国内多晶硅龙头企业、2008年盈利接近12亿
国内多晶硅价格2008年仍将维持高位
目前国内多晶硅散货价格已经超过2800元/kg，价格之高令人咂舌；但由于2008年产能虽有接近翻番的扩张，但产量扩张主要体现在2008年下半年和2009年，考虑下游的市场扩张，供需状况并未得到根本性改观，而上半年供需形势的紧张形势与去年相比更是不相上下；综合考虑新厂投产速度和下游需求增长，我们认为2008年多晶硅价格仍将维持高位；国际大厂的所谓长单价格与国内企业基本没有，以国际硅料大厂对其大客户的长单价格比照国内硅料走势没有意义。
新光硅业2008年盈利接近12亿元
观点三：多晶硅是高集成度的化工联合企业，技术门槛高
多晶硅企业的技术难度在于整体性的技术的瓶颈，而非几个关键技术诀窍
多晶硅企业本质上是化工联合企业，这从国际大厂的情总可以看出，德国的Wacker是全球知名的化工企业，其涉足的领域从盐矿开采、硅烷气到多晶硅、硅片，涉及与多晶硅相关的上游产品均可以自行生产；Hemlock的股东中，Dow Corning是化工建材巨头陶氏化学和康宁成立的合资；这些企业均有多年的化工企业经营经验，从事多晶硅生产也已多年，部分企业超过五十年生产经验，是国内企业无法比拟的；多晶硅的生产涉及多次复杂的化学反应，各项控制节点多以千计，而从一个陌生的行业进入多晶硅生产，即使不考虑建设的问题，单纯调试运行的难度也是相当之大的。
国内能大规模生产之前，国际大厂不会进行技术转移
目前国际大厂的产能当中主要是改良西门子法，而国内目前已经投产和即将投产的企业中，均采用改良西门子法；国际大厂对多晶硅的垄断已经维持了数十年，鉴于多晶硅对IT行业的重要意义和目前行业的高利润，国际大厂对此实行持续的技术封锁；从目前的情况看，在国内没有大规模实现生产之前，国际大厂不会对中国实行技术转让，所谓德国技术或者美国技术还是俄罗斯技术均不是完整的技术转让；
关于大厂专家的指导，根据我们现在了解到的情况，国际上普遍实行二十年的行业禁止期，从相关大厂辞职的技术人员在二十年内不得进入原企业的竞争对手，因此，目前国内企业能够请到的、有过大厂工作经验的专家，其工作经验也是二十年前的，否则就存在法律问题。
国际目前的技术转移以建造为主，并无完整技术转让
目前国际上比较著名的多晶硅厂建造是PPP（Polysilicon Plant Project），SCC等境外公司，均具有建造多晶硅企业的经验；PPP等公司与国内的成达公司属于同一类型企业，为化工企业，只不过从事的是特殊的化工企业----多晶硅厂的，他们不提供具体的多晶硅技术包；
我们认为，有经验的制造商加盟有助于多晶硅厂更快更好的达产，但并不是决定因素。
国内目前投产的所有企业技术来源均是739和740厂
目前国内已经投产的企业包括新光硅业、东汽硅材料厂、洛阳中硅、徐州中能，究根探底，这几家的技术来源均是之前739和740两个硅材料厂；
739厂即峨嵋半导体厂，本世纪初国内为建设第一个千吨级多晶硅厂从峨嵋厂抽调骨干，这也构成了目前新光硅业的主要技术队伍；
而从原来的峨嵋半导体材料厂被东方电气增资控股，也就是现在的东汽硅材料厂；徐州中能的技术来源是新光硅业，这在业内也是尽人皆知的，因此其技术源头也是739厂；
740厂即原来的洛阳硅材料厂，以此为基础组成了现在的洛阳中硅；
总而言之，目前已经投产的多晶硅厂均有明确的技术来源，并无完全成立的企业做成。
第12篇：物流主控室操作流程
第一章入库、出库信息系统操作要点
1.1能力培养
1.了解仓库货物入库出库信息系统流程。
2.了解操作界面
3.熟知各个界面的操作要点。掌握入库单的基本信息的填写方法，包括客户资料、客户
合同维护、客户联系方式、客户货品信息等，能正确生成入库单
4.能够针对给定的案例进行熟练操作
1.2情境描述
根据客户的要求进行录入，对给定案例进行正确操作。
1.3使用设备、仪器、工具及资料
主控室计算机若干，打印机若干，案例多个。
1.4操作要点
基本信息维护
客户管理项目管理新增项目名称 客户信息管理 新增提交 客户合同新增填完合同点仓储管理货品管理新增提交配置管理储位存放规格新增提交入库订单管理新增选择变蓝生成作业计划确认生成
仓储管理入库作业入库预处理调度上架调度完成入库反馈作业计单反馈
出库
订单管理新增拣货出库上面三个填完添加货品选中生成作业计划确认生成
仓储管理出库作业出库预处理选中调度拣货调度完成出库反馈选中作业计划单反馈
1.5考核与评价
考核任务：根据给定的案例，完成入库作业、分拣作业和出库作业
组别：
成员
1.6
测试题
交校仓储中心承接了康福集团康福月饼仓储项目，客户编码：学号，客户地址位于：学号+大东区望花中街105号，货品储存的库房为：学号+JX，托盘货架区，存储方式为货架区，请分配储位。
情况自行决定。
2012年6月3日接到出库通知，客户上门自提货物，从该储位中出库200箱月饼，100箱饼干，请完成相应的出库作业任务并反馈
第13篇：选矿厂 中控室(主控室)考核制度
中钢集团山东矿业有限公司选矿车间
中钢集团山东矿业有限公司选矿车间
中控室考核制度
根据中钢集团山东矿业有限公司选矿车间考核精神，结合中控室工作实际，制定《中钢集团山东矿业有限公司选矿车间中控室考核制度》，本制度自制定之日起严格执行。
考核组组长：姚耿
考核组成员：刘彬张帅
考核小组由选矿车间副主任姚耿领导，考核办法由成员刘彬、张帅负责具体实施。每月月底25日，考核组成员张帅根据考核细则对中控室员工本月考评进行汇总，上报技术室审核，由考核组组长姚耿审定。
考核组成员对中控室员工具有直接考核权，并负责对考核制度的修改和完善。
考核实行定额考核，即中控室考核总工资为定额，每月处罚款额作为本月中控室优秀员工奖励之用。若处罚金额有剩余，则作为本月奖励平均分到个人绩效工资；若处罚金额不足，则由个人绩效工资平均扣出。
考核结果作为中控室员工工资发放的标准，并作为中控室员工评优的重要依据。
考核细则：
1．车间考核
中控室考核制度服从车间考核制度，依据选矿车间考核制度，对中控室班组磨选台时、供矿台时、精矿品位、各尾矿品位等进行考核。
2．调度指令考核
中控室员工接受公司高层、选矿车间主任、选矿车间调度、考核组成员的调度指令，并执行调度指令。根据中控室员工调度指令完成情况，考核组对中控室员工进行考核。
3．技术指标考核
3.1精矿品位考核
选矿车间合格精矿品位要求为64.5%～66.0%，磨选正常运行时精矿品位不合格班组给予每人5元罚款处罚，合格班组给予每人5元奖励。
备注：品位分两个系列计算，两个系列品位均不合格累积扣分，每个系列品位以3个以上（包括3个）平均品位为考核标准。
3.2磨选台时考核
磨选台时考核以两个系列平均系统处理能力为考核标准，磨选台时最高的前两名给予100元奖励，最低的后两名给予50元罚款处罚。其中粉矿产量以11#、12#皮带秤读数为准，运行时间以11#、12#皮带开启时间为准，停车时间以停料时间为准，事故临时停料不计入停车时间。时间统计误差超过5分钟即为不准确，罚款50元。
备注：磨选粉矿产量数据在7:40、15:40、23:40由交班、接班两班人员同时确认，上报调度数据计算工作由接班人员完成，并确保数据的准确性。
3.3供矿台时考核
供矿台时考核以1#皮带称读数为基础数据，以供矿台时为标准，供矿台时最高的前两名给予100元奖励，最低的后两名给予50元罚款处罚。其中供矿运行时间以1#皮带给料为标准，停车时间以3#圆锥停机时间为标准。时间统计误差超过5分钟即为不准确，罚款50元。
备注：供矿产量数据在7:40、15:40、23:40由交班、接班两班人员同时确认。
4．日常工作考核
4.1请假制度考核
中控室实行月初计划出勤制度，即全体员工当月出勤及休班安排由刘彬、张帅在月初根据实际生产需要和全体员工的实际情况计划生成，员工需严格按照计划出勤表出勤。
个人如有特殊情况不能出勤，自行与休班人员沟通调班，并向技术室说明审批。个人如有及特殊情况临时不能出勤，且无人调班时，技术室根据生产情况做临时安排，个人需补班并扣绩效20元。未经同意擅自休班者按旷班处理，除接受选矿车间处分外，考核组给予当事人100元罚款处罚。
4.2劳动纪律考核
4.2.1 严禁迟到、早退。迟到10分钟通报批评，迟到30分钟罚款10元，早退10分钟通报批评，早退30分钟罚款10元。如有特殊情况，核实后予以中控室通报公示，不予罚款。
4.2.2 当班期间严禁玩手机，违者一次罚款20。
4.2.3 当班期间严禁睡岗，违者一次罚款20。
4.2.4 当班期间务必穿工作服，违者一次罚款10元。
4.2.5 当班期间严禁无故离岗，违者一次罚款20元。
4.2.6 严禁酒后上岗，违者一次罚款50元。
4.3中控室基础数据记录、上报公司数据及值班记录考核
中控室记录数据为所有考核的基础数据，要求记录公平、准确，记录数据不准确者，发现一次给予当班人员每人50元罚款处罚，上报公司数据错误者给予当班人员每人20元罚款处罚，其他记录不全及记录错误者，给予当班人员每人10元罚款处罚。
4.4责任事故考核
因中控室操作失误，引起选矿车间重大事故，除接受选矿车间处分外，考核组经讨论给予相关责任人罚款处罚。
4.5中控室卫生考核
中控室交接班前半小时对中控室卫生进行清理，包括地面、桌面、电脑、立柜等 ，卫生清理不干净者，给予当班人员每人10元罚款处罚。
4.6其他
对于中控室员工违反规章制度、不履行岗位职责及引起其他责任事故者，考核组根据实际情况给予当事人罚款处罚。
5．奖励
工作期间，对中控室及公司做出贡献者，如避免生产事故发生、
受到公司及车间通报表扬、主动指导中控室新员工等，由个人或考核组人员提议，经考核组讨论，给予贡献者奖励。
6．考核汇总公示存档
张帅负责对考核结果进行汇总，考核结果每天汇总、每天公示，并于每月月底25日，对当月考核情况进行汇总，每次汇总结果均在中控室内公示三天，中控室若对考核结果存在异议，可在公示期间向考核组提出申诉，公示没有问题后交技术室审核，经考核组长审批后作为本月工资发放标准，并存档。
考核结果除作为每月工资发放标准外，另作为中控室推优的重要依据。
本考核制度自公布之日起严格执行！
选矿车间
2012-11-6
第14篇：国内多晶硅生产企业
公 司 名 称 地 区 产能 原 材 料 类 型 吨/2011
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第15篇：多晶硅行业准入条件(全文)
多晶硅行业准入条件（全文）
中国网 china.com.cn
时间： 2011-01-2
4中华人民共和国工业和信息化部公告 工联电子〔2010〕137号
为贯彻落实科学发展观，促进多晶硅行业节能降耗、淘汰落后和结构调整，引导行业健康发展，根据国家有关法律法规和产业政策，工业和信息化部、国家发展改革委、环境保护部会同有关部门制定了《多晶硅行业准入条件》，现予以公告。
有关部门在对多晶硅建设项目核准、备案管理、土地审批、环境影响评价、信贷融资、生产许可、产品质量认证等工作中要以本准入条件为依据。
附件：多晶硅行业准入条件 中华人民共和国工业和信息化部 中华人民共和国国家发展和改革委员会 中华人民共和国环境保护部 二〇一〇年十二月三十一日 附件：
多晶硅行业准入条件
为深入贯彻落实科学发展观，规范和引导多晶硅行业健康发展，坚决抑制行业重复建设和产能过剩，根据国家有关法律法规和产业政策，按照优化布局、调整结构、节约能源、降低消耗、保护环境、安全生产的原则，特制订多晶硅行业准入条件。
一、项目建设条件和生产布局
（一）多晶硅项目应当符合国家产业政策、用地政策及行业发展规划，新建和改扩建项目投资中最低资本金比例不得低于30%。严格控制在能源短缺、电价较高的地区新建多晶硅项目，对缺乏综合配套、安全卫生和环保不达标的多晶硅项目不予核准或备案。
（二）在依法设立的基本农田保护区、自然保护区、风景名胜区、饮用水水源保护区，居民集中区、疗养地、食品生产地等环境条件要求高的区域周边1000米内或国家、地方规划的重点生态功能区的敏感区域内，不得新建多晶硅项目。已在上述区域内投产运营的多晶硅项目要根据该区域有关规划，依法通过搬迁、转停产等方式逐步退出。
（三）在政府投资项目核准新目录出台前，新建多晶硅项目原则上不再批准。但对加强技术创新、促进节能环保等确有必要建设的项目，报国务院投资主管部门组织论证和核准。
二、生产规模与技术设备
（一）太阳能级多晶硅项目每期规模大于3000吨/年，半导体级多晶硅项目规模大于1000吨/年。
（二）多晶硅企业应积极采用符合本准入条件要求的先进工艺技术和产污强度小、节能环保的工艺设备以及安全设施，主要工段、设备参数应能实现连续流程在线检测。
三、资源回收利用及能耗
（一）新建多晶硅项目生产占地面积小于6公顷/千吨。现有多晶硅项目应当厉行节约集约用地原则。
（二）太阳能级多晶硅还原电耗小于80千瓦时/千克，到2011年底前小于60千瓦时/千克。
（三）半导体级直拉用多晶硅还原电耗小于100千瓦时/千克，半导体级区熔用多晶硅还原电耗小于120千瓦时/千克。
（四）还原尾气中四氯化硅、氯化氢、氢气回收利用率不低于98.5%、99%、99%。
（五）引导、支持多晶硅企业以多种方式实现多晶硅-电厂-化工联营，支持节能环保太阳能级多晶硅技术研发，降低成本。
（六）到2011年底前，淘汰综合电耗大于200千瓦时/千克的太阳能级多晶硅生产线。
（七）水资源实现综合回收利用，水循环利用率≥95%。
四、环境保护
（一）新建和改扩建项目应严格执行《环境影响评价法》，依法向有审批权限的环境保护行政主管部门报批环境影响评价文件。按照环境保护“三同时”的要求，建设项目配套环境保护设施并依法申请项目竣工环境保护验收，验收合格后方可投入生产运行。未通过环境评价审批的项目一律不准开工建设。现有企业应依法定期实施清洁生产审核，并通过评估验收，两次审核的时间间隔不得超过三年。
（二）废气
尾气及NOx、HF酸雾排放部位均应当配备净化装置，采用溶液吸收法或其他方法对其净化处理，废气排放达到《大气污染物综合排放标准》（GB16297）和污染物排放总量控制要求。项目所在地有地方标准和要求的，应当执行地方标准和要求。
（三）废水
按照法律、行政法规和国务院环境保护主管部门的规定设置排污口。废水排放应符合国家相应水污染物排放标准要求。凡是向已有地方排放标准的水体排放污染物的，应当执行地方标准。
（四）固体废物
一般工业固体废物的贮存应符合《一般工业固体废物贮存、处置场污染控制标准》（GB18599），对产生的四氯化硅等危险废物，应严格执行危险废物相关管理规定。
（五）噪声
厂界噪声符合《工业企业厂界环境噪声排放标准》（GB12348）。
五、产品质量
企业应有质量检验机构和专职检验人员，有健全的质量检验管理制度。半导体级多晶硅产品符合国家标准GB/T12963所规定的质量要求，太阳能级多晶硅产品符合国家标准所规定的质量要求。
六、安全、卫生和社会责任
（一）多晶硅项目应当严格遵循职业危害防护设施和安全设施“三同时”制度要求。企业应当遵守《安全生产法》、《职业病防治法》等法律法规，执行保障安全生产的国家标准或行业标准。
（二）企业应当有健全的安全生产组织管理体系，有职工安全生产培训制度和安全生产检查制度。
（三）企业应当遵守《危险化学品安全管理条例》（国务院令第344号）《、危险化学品建设项目安全许可实施办法》（国家安全生产监督管理总局令第8号）、《安全预评价导则》、《危险化学品建设项目安全评价细则（试行）》（安监总危化〔2007〕255号）及相关规定，依法实施危险化学品建设项目安全许可和危险化学品生产企业安全生产许可，获取《安全生产许可证》后方可投入运行。
（四）企业应当有职业危害防治措施，对重大危险源有检测、评估、监控措施和应急预案，并配备必要的器材和设备。尘毒作业场所达到国家卫生标准。
（五）企业应当遵守国家法律法规，依法参加养老、失业、医疗、工伤等保险，并为从业人员缴足相关保险费用。
七、监督与管理
（一）工业和信息化部负责多晶硅行业管理，商有关部门后以联合公告形式发布符合准入条件的多晶硅企业名单，形成《多晶硅行业准入名单》，实行社会监督、动态管理。
（二）对现有项目：
1.企业应对照准入条件编制《多晶硅行业准入申请报告》并通过当地工业和信息化主管部门报送工业和信息化部。
2.省级工业和信息化主管部门负责受理本地区多晶硅企业的申请，按准入条件要求会同同级发展改革部门、环保部门对企业情况进行核实并提出初审意见，附企业申请材料报送工业和信息化部。
3.工业和信息化部收到申请后，会同有关部门对企业申请材料组织审查，对符合准入条件的企业进行公示，无异议后予以公告。
对不符合准入条件的企业，工业和信息化部通知省级工业和信息化主管部门责令企业整改，整改仍不达标的企业应当逐步退出多晶硅生产。
（三）对新建和改扩建项目：
1.国务院投资主管部门按照准入条件要求对新建和改扩建项目组织论证和核准。
2.企业应自投产之日起半年内申请，省级工业和信息化主管部门会同同级发展改革部门、环保部门对其进行检查并提出检查意见，附企业申请材料报送工业和信息化部。工业和信息化部对企业申请材料组织审查，对符合准入条件的企业进行公示，无异议后予以公告。
对不符合准入条件的企业，工业和信息化部通知省级工业和信息化主管部门责令企业整改，整改仍不达标的企业应当停止多晶硅生产。
（四）地方工业和信息化主管部门每年要会同有关部门对本地区企业生产过程中执行准入条件的情况进行监督检查，工业和信息化部组织有关部门对公告企业进行抽查。
（五）公告企业有下列情况，将撤销其公告资格： 1.填报资料有弄虚作假行为； 2.拒绝接受监督检查； 3.不能保持准入条件要求； 4.发生重大安全和污染责任事故； 5.违反法律、法规和国家产业政策规定。
（六）对不符合规划布局、生产规模、资源利用、环境保护、安全卫生等要求的多晶硅项目，投资管理部门不予核准和备案，国土资源管理、环境保护、质检、安监等部门不得办理有关手续，金融机构不得提供贷款和其它形式的授信支持。
（七）有关行业协会、产业联盟、中介机构要协助做好准入条件实施工作，组织企业加强协调和自律管理。
八、附则
（一）本准入条件适用于中华人民共和国境内（台湾、香港、澳门地区除外）所有类型的多晶硅企业和项目。
（二）本准入条件涉及的法律法规、国家标准和行业政策若进行修订，按修订后的规定执行。
（三）本准入条件自发布之日起实施，由工业和信息化部负责解释，并根据行业发展情况和宏观调控要求会同有关部门适时进行修订。
第16篇：怎样解决多晶硅污染问题
怎样解决多晶硅污染问题?
新津工业园区成为循环经济示范试点园区
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本报讯 记者日前从四川省发改委获悉，成都市新津工业园区被正式列为四川省(第二
批)循环经济示范试点园区。
据了解，新津园区内一大批精细化工、硅及光伏、新材料产业企业都以循环经济为导向，减少或消化废物、废气、废液排放，实现可再生资源的重复利用，企业个体由此进入节能、环保、增效的良性循环。特别是以多晶硅加工生产的循环经济为发展方向的工业园区，得到
了业内人士的认可。
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多晶硅是集成电路、太阳能电池的“主心骨”，在化工产业界炙手可热。但生产多晶硅是一个复杂的化学流程，而且要产生大量的氯化氢、二氧化碳。在新津工业园，园区生产者通过管道回流，将氯化氢送入上游化工企业，重新再利用，生成四氯化硅，加工产出白碳黑(一种塑胶原料)；二氧化碳也在脱硫后回收，形成碳酸钾，广泛运用于食品添加剂、医药、
农药等领域。
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新津工业园多晶硅加工生产的流程，是一个典型的循环经济流程，在园区内，按照国际上先进的“3R”(减量化、再利用、资源化)原则，以高技术为支撑，将“资源—产品—废物”的传统流程转变为“资源—产品—再生资源”的反馈式流程，将上下游企业组织起来，将生产工序有效衔接起来，互为产业链，形成企业间的共生和代谢关系。这不但节省物流运输成本，而且将废物废气就地消化或转化，降低了投入却增加了收入，既有经济效益又有环境效
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作者：周小明 贾燕妮
来源：中国环境报
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第17篇：多晶硅太阳能电池制备工艺(论文)
XINYU UNIVERSITY
毕业设计（论文）
（2013届）
题
目 多晶硅太阳能电池制备工艺
二级学院 新能源科学与工程学院
专 业 光伏材料加工及其应用
班 级 10级光伏材料
（一）班
学 号 1003020138 学生姓名 纪 涛 指导教师 胡 耐 根
多晶硅太阳能电池制备工艺
目录
摘要„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„1 Abstract„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„2 第 1 章 绪论„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„3 第 2 章 多晶硅太阳电池制备工艺„„„„„„„„„„„„„„„„5 2.1 一次清洗工序„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„5 2.1.1 一次清洗工序的原理„„„„„„„„„„„„„„„„„„5 2.1.2 一次清洗工序的工艺参数„„„„„„„„„„„„„„„„5 2.2 扩散工序„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„6 2.2.1 扩散原理„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„6 2.2.2 扩散工艺„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„7 2.3 湿法刻蚀的工序及其原理„„„„„„„„„„„„„„„„„„8 2.4 等离子体增强化学气相沉积工序„„„„„„„„„„„„„„„10 2.4.1 等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜的原理„„„„„„„10 2.5 丝网印刷工序及其工作原理„„„„„„„„„„„„„„„„„11 2.6 测试分选工序及太阳能测试仪的原理 „„„„„„„„„„„„ 13 2.7 小结„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„15 第 3 章 多晶硅太阳能电池行业展望„„„„„„„„„„„„„„„16 参考文献(References) „„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„17 致谢„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„18
多晶硅太阳能电池制备工艺
多晶硅太阳能电池制备工艺
摘 要
长期以来随着能源危机的日益突出，传统能源已不能满足能源结构的需求，然而光伏发电技术被认为是解决能源衰竭和环境危机的主要途径。而多晶硅太阳能电池份额占据光伏市场的绝大部分，并呈现逐年上升趋势，有极大的发展潜力。
本文在阐明了国内外光伏市场以及光伏技术发展趋势的基础上，对多晶硅太阳能电池的结构及其特性简述，同时对其制备工艺：一次清洗→扩散→湿法刻蚀去背结→PECVD(等离子体增强化学气相沉积)→丝网印刷→ 烧结→测试分选做简要介绍。
关键词：多晶硅太阳能电池；光伏技术；光伏工艺；
多晶硅太阳能电池制备工艺
Preparation technology of polycrystalline silicon solar cell
Abstract
For a long time as the energy crisis increasingly prominent, the traditional energy cannot satisfy the needs of the energy structure, however, photovoltaic power generation technology is regarded as the main way to solve the crisis of energy exhaustion and environment and polycrystalline silicon solar cell occupies most parts of photovoltaic market share, and presents the rising trend year by year, has great development potential。
This paper illustrates the domestic PV market trends and the development of photovoltaic technology firstly, and makes a brief introduction on the preparation proce of polycrystalline silicon solar cell secondly: cleaning →diffusion →wet etching →PECVD →screen printing →sintering →testing and sorting.
Keywords: polycrystalline silicon solar cell; photovoltaic technology; photovoltaic proce ;
多晶硅太阳能电池制备工艺
第 1 章
绪论
随着经济全球化贸易国际化的发展，传统能源煤、石油、天然气等已不再是世界能源市场占有率扩张最快的，相反，新型可再生能源核能发电、水力发电、风能发电、生物质能发电，而光伏行业经历了从航天到地面应用的巨大变化，太阳能发电正飞速增加其市场份额，以求缓解能源危机和环境问题。
鉴于各种新型能源发电的弊端，相比较之下人们普遍认为太阳能发电具备广阔的发展前景。太阳能作为一种新型、洁净、可再生能源，它与常规能源以及其它新型能源相比有以下几个优点[1]：第一：储能丰富，取之不尽用之不竭。第二：不存在地域性限制，方便且不存在输电线路的远程运输问题。第三，洁浄，不会影响生态平衡和人类的身体健康，太阳能发电的种种优势，得到人类社会的一致认可。尤其是在遭受能源衰竭和环境危机的今天，人们更是把它当做缓解能源短缺和环境污染问题的有效途径。世界各地政府纷纷采取一系列相关政策，加大对光伏产业的财政补贴，促使光伏技术快速进步，生产规模不断壮大，早日实现光伏发电的大规模普及。
多晶硅太阳电池是一种将光能转化为电能的光电转换装置，在P 型硅衬底表面，利用POCl3 液态源扩散工艺制得厚度约为0.5um 的N型重掺杂层，P 型层与N 型层接触，形成pn 结，产生光伏效应[2]。同时，正Ag 电极可与N 型重掺杂层形成良好的欧姆接触，用于收集光生电流。位于最上层的氮化硅薄膜起到钝化和减反射的作用。背Al 与P型硅片接触，在烧结的过程中，形成良好的Al 背场，降低背表面复合电流，增加开路电压。
多晶硅太阳电池主要是依靠半导体pn结的光生伏特效应来实现光电转换的[3]。当光线照射到太阳能电池的正表面时，大部分光子被硅材料吸收。其中，能量E=hv＞Eg 的光子就会将能量传递给硅原子，使处于价带的电子激发到导带，产生新的电子-空穴对。新的电子-空穴又会在内建电场的作用下被分离，电子由p区流向n区，空穴由n区流向p区，电子和空穴在pn 结两侧集聚形成了电势差，当外部接通电路后，在该电势差的作用下，将会
多晶硅太阳能电池制备工艺
有电流流过外部电路，从而产生一定的输出功率。其结构和光电转换原理图如下1-1和1-2。
图1-1多晶硅太阳电池结构
图1-2多晶硅光电转换原理 4
多晶硅太阳能电池制备工艺
第 2 章 多晶硅太阳能电池制备工艺
由晶体硅太阳能电池的结构和原理可知，多晶硅太阳能电池的常规制备流程[4]如下：一次清洗（制绒）→ 扩散（形成pn 结）→ 二次清洗（湿法刻蚀去背结）→ PECVD（镀氮化硅）→ 丝网印刷（形成电极和背场）→ 烧结（形成欧姆接触）→ 测试（获得电性能）。接下来，将逐一介绍制备多晶硅太阳能电池各工序的工艺及原理。
2.1 一次清洗工序
2.1.1 一次清洗工序的原理
多晶硅太阳能电池制备流程中的一次清洗工序，主要目的是去除硅片表面的脏污和机械损伤层，在硅片表面形成绒面结构（俗称制绒），增强太阳能电池的陷光作用。我们知道，单晶硅太阳能电池制绒主要是依靠碱的各向异性腐蚀特性，在（100）晶面上形成连续、均匀、细腻的正金字塔结构，从而起到良好的减反射作用。而多晶硅各个晶粒的晶向不一样，若同样采用碱腐蚀，则得不到很好的金字塔绒面化结构。为了得到良好的多晶硅绒面化结构，人们尝试了许多方法，比如反应离子刻蚀法、机械刻槽法和化学腐蚀法等。综合成本以及制备工艺的难易程度考虑，化学腐蚀法在工业化大规模生产中得到了广泛的应用。接下来就对化学腐蚀法制备多晶硅太阳能电池绒面的原理做一下简单介绍。
与单晶硅太阳能电池碱制绒工艺不同的是，多晶硅太阳能电池采取酸制绒工艺。酸制绒体系主要由HNO3 和HF 组成，具体的反应方程式[5]如下： 3Si+4HNO3——3SiO2+2H2O+4NO (2.1) SiO2+6HF——H2(SiF6)+2H2O (2.2) 其中，HNO3 作为强氧化剂，将Si 氧化成致密不溶于水的SiO2 附着在硅片表面上，阻止HNO3 与Si 的进一步反应。但SiO2 可以与溶液中的HF 发生反应，生成可溶于水的络合物H2(SiF6)，导致SiO2 层被破坏，此时，HNO3 与Si 再次发生化学反应，硅片表面不断的被腐蚀，最终形成连续致密的“虫孔状”结构。
多晶硅太阳能电池制备工艺
此方法不需要采用特定的反应装置、工艺简单、制造成本低，而且制备出的多晶硅绒面反射率低，可以与双层减反射膜相比。但此方法为纯化学反应，反应的稳定性不易控制，而且影响制绒效果的因素众多，比如滚轮速度、反应温度、硅片掺杂水平以及原始硅片的表面状况等。 2.1.2 一次清洗工序的工艺参数
本工序采用由腐蚀槽、碱洗槽、酸洗槽构成的自动制绒设备。在向各槽内配置化学溶液前，需对槽体进行预处理。首先用水枪将滚轮、槽盖、槽体冲洗干净，然后注入一定量的去离子水，让设备自动循环10min 后，排掉污水。再按照上述操作重复一遍，待废水排干净后即可制备化学溶液。
各槽内化学溶液的初始配方[6]为：腐蚀槽：浓度为50%的氢氟酸溶液45L，浓度为68%的硝酸溶液28L；碱洗槽：浓度为45%的氢氧化钠溶液5.2L；酸洗槽：浓度为50%的氢氟酸溶液28L，浓度为36%的盐酸溶液58L。由于各槽是依靠化学反应来对硅片进行腐蚀的，反应的过程中必须伴有新的生成物产生和初始化学品的消耗，这就要求我们按时补液以及换液。
伴随着化学反应的不断进行，我们需要每小时向各槽填充的溶液量为：腐蚀槽：浓度为50%的氢氟酸溶液12.6L，浓度为68%的硝酸溶液11.4L；碱洗槽：浓度为45%的氢氧化钠溶液1.6L；酸洗槽：浓度为50%的氢氟酸溶液0.8L，浓度为36%的盐酸溶液2.4L。另外，腐蚀槽每生产156×156(cm2)规格的硅片15万片后，需重新制配腐蚀液；设备连续一小时以上不生产时需把腐蚀液打回储备槽；碱槽溶液和酸槽溶液在配置250h 后必须重新配液。否则都将影响最终制得的多晶硅太阳能电池片的电性能。
2.2 扩散工序
2.2.1 扩散原理
扩散实际上就是物质分子从高浓度区域向低浓度区域转移，直到均匀分布的现象。太阳能电池制备流程中的扩散工序，就是在P 型衬底上扩散一层N 型杂质，进而形成太阳能电池的心脏--pn 结。多晶硅太阳能电池的扩散方式有很多种，比如三氯氧磷（POCl3）液态源扩散、喷涂磷酸水溶液后链式扩散、丝网印刷磷浆料后链式扩散等。本文着重采用三氯氧磷（POCl3）液态源扩散工艺来制取pn结，下面是三氯氧磷（POCl3）液态源扩散的原理
多晶硅太阳能电池制备工艺
[7]：氮气携带的POCl3 在某种特定的条件下，可分解成五氧化二磷（P2O5）和五氯化磷（PCl5），具体反应方程式如下：
5POCl3→3 PCl5+ P2O5 （T＞600℃） （2.3）
生成的P2O5 在800-900℃的高温下与Si 反应，生成磷原子和SiO2，具体反应方程式如下：
2P2O5+5Si→5SiO2+4P↓ （2.4）
由以上化学反应方程式可得，POCl3 在没有O2 的条件下，热分解生成PCl5，而PCl5 极不易分解，且对硅表面有很强的腐蚀作用，严重损害了硅片的表面状态以及pn 结的质量。当有外来足够的O2 存在时，PCl5 就会进一步分解，生成P2O5和Cl2，具体反应方程式如下： 4PCl5 + 5O2→2P2O5+10Cl2↑ （2.5）
生成的P2O5 可再一次与硅发生化学反应，生成磷原子和SiO2。由此可见，在POCl3扩散的过程中，必须通入一定流量的O2 来避免PCl5 对硅片表面的损伤。在过量O2 存在的条件下，POCl3 液态源扩散的总化学反应方程式为： 4POCl3 +5O2→2P2O5 +6Cl2↑ (2.6) 由总反应方程式可得，POCl3 热分解生成的P2O5 附着在硅衬底表面，在扩散高温条件下又与Si反应生成磷原子和SiO2，即在硅衬底上覆盖一层较薄的磷-硅玻璃层，接着磷原子向硅体内徐徐扩散。为了提高扩散的均匀度，避免硅片表面死层的形成，通常在POCl3 扩散之前使硅表面热氧化，生成一层极薄的氧化层，来控制反应速度。 2.2.2 扩散工艺
扩散工序采用的设备是捷佳伟创扩散炉DS300A，它是在48 所和centrotherm扩散炉的基础上改进得来的，主要优势有以下两点： 1) 喷淋扩散。传统48 所扩散设备是在炉尾通源，炉口排废，而捷佳伟创设备是在石英管内的上部安装一个喷淋管，直接将源喷在硅片上。相对于48 所设备，此种扩散工艺调节更加简单，重复性好，无需考虑温度补偿浓度梯度问题。同时，每个硅片所接触的磷源会更加均匀，进而提高方块电阻均匀性。
2) 软着陆系统。石英舟承载在石英舟托上，由舟浆将石英舟托送入炉
多晶硅太阳能电池制备工艺
管内，然后舟浆退出，属于闭管扩散。相对于48 所设备，这样可以避免舟浆引入污染，同时由于对排废的特殊处理，不需要频繁清洗舟浆和石英炉管。
扩散过程可以简单概括为：预扩→主扩→推扩。优化的磷扩散工艺具备如下特点：
1) 同时进行磷源的再分布和硅片表面的三次氧化。此时磷源总量一定，预沉积杂质源缓慢的向硅片体内扩散，便于形成平坦的pn 结，提高了扩散的方块电阻均匀性。
2) 高温扩散过程中不再伴有硅片与高浓度的磷直接接触。减少了硅片表面以及势垒区的缺陷和复合中心，提高了多晶硅太阳能电池的开路电压和短路电流。
3) 两步扩散法制备 pn 结，制备条件相对宽松，工艺参数调节余地大。预沉积杂质总量基本不受温度波动的影响，限定源表面扩散也不受扩散气氛以及环境的影响，这就大大增强了扩散的均匀性以及重复性。
采用改进的磷扩散工艺，对最终制得晶体硅太阳能电池片的电性能有了很大改善，尤其是在开路电压Voc 和短路电流Isc 方面。详见下图2.3 和
图2.3 一步扩散与两步扩散Voc 对比图 图2.4 一步扩散与两步扩散Isc 对比图
2.3 湿法刻蚀工序及其原理
对于多晶硅太阳能电池来说，并联电阻（Rsh）[8]是一个很重要的参数，Rsh 过小将会导致漏电流增大，影响电池最终的短路电流、填充因子以及转换效率。Rsh分为体内并联电阻和边缘并联电阻两类，对于一个太阳能电池片来说，一般20%的泄露电流通过体内并联电阻，而80%的泄露电流通过边缘并联电阻。工业上实现量产的多晶硅电池扩散方式均为单面背靠背扩散，
多晶硅太阳能电池制备工艺
不可避免地使电池的四周也扩散了一层n 型层，它将电池的正电极与背电极跨接在一起，形成很大的漏电流，因此未达到分离pn 结的作用。本文主要采用正面无保护的湿法刻蚀方法将电池背面的pn 结去除，以达到分离pn 结的效果。其原理如下： 第一步：硅片表面氧化过程
氧化过程的激活，硅表面被硝酸氧化，生成一氧化氮或二氧化氮，见式（3.7，3.8）：
Si+4HNO3=SiO2+4NO2+2H2O （3.7） Si+2HNO3=SiO2+2NO+2H2O （3.8）
氧化过程的延伸，生成物一氧化氮、二氧化氮进一步与水反应，得到的二级产物亚硝酸迅速将硅氧化成二氧化硅，见式（3.9,3.10,3.11）： 2NO2+H2O=HNO2+HNO3 （3.9） Si+4HNO2=SiO2+4NO+2H2O （3.10） 4HNO3+NO+H2O=6HNO2 （3.11）
由上式可知，硅片表面氧化所发生的一系列化学反应是一个循环过程，氮氧化合物是硝酸最终的还原产物，二氧化硅是与腐蚀溶液接触的硅片背表面的氧化产物。 第二步：二氧化硅溶解过程
氧化产物二氧化硅， 将快速与混合液中的氢氟酸反应， 生成六氟硅酸， 见式（3.12,3.13）：
SiO2+4HF=SiF4+2H2O （3.12） SiF4+2HF=H2SiF6 （3.13） 总反应式为：
SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O （3.14）
可见，最终腐蚀掉的硅将以六氟硅酸的形式溶入溶液中。实际上，湿法刻蚀的工艺原理与一次清洗的工艺原理相同，只不过是通过控制混合液内HF 和HNO3的浓度比来形成制绒腐蚀或抛光腐蚀。
采用湿法刻蚀去背结工艺将扩散后电池片的正面与背面pn 结分开，与其它方法相比具有以下优点：
多晶硅太阳能电池制备工艺
1) 等离子体刻蚀法将硅片边缘发射极刻掉，需要用到 CF4 毒性气体，且刻蚀过程中设备周围存在微波辐射，给人体健康带来的危害极大。另外，此种工艺成本较高，电池片间互相挤压的过程容易导致碎片，降低电池片的成品率。
2) 激光或金刚石刀将边缘发射极直接切掉，将会减少电池的有效面积，降低电池片的功率。
3) 用正面无保护的湿法刻蚀方法来代替上述两种方法分离pn 结，不仅避免了CF4 毒性气体的使用和太阳能电池片的碎裂，而且使硅片背表面抛光，有效地提高了太阳能电池的电性能。
2.4 等离子体增强化学气相沉积工序
2.4.1 等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜的原理
等离子体增强化学气相沉积技术[9]（PECVD）的工作原理为：在真空压力下，加在电极板上的射频（低频、微波等）电场，使反应室内气体发生辉光放电，在辉光发电区域产生大量的电子。电子由于受到外加电场的加速作用，其自身能量骤增，它可通过碰撞将自身能量传递给反应气体分子，从而使反应气体分子具有较高的活性。这些活性分子覆盖在硅基底上，彼此间发生化学反应，制得所需的介质薄膜，产生的副产物被真空泵抽走。我们可以运用PECVD 技术制作各种器件的钝化膜、减反射膜，还可用其制作扩散工艺的阻挡层。本文采用PECVD技术，在硅片表面沉积一层氮化硅薄膜，具体原理在350℃，等离子射频：SiH4 + 4NH3 —— Si3N4 + 12H2 （2.15） 此法制备的氮化硅薄膜具有减反射和钝化的作用，其减反射原理图[12]如下：
图2.8 氮化硅薄膜减反射原理图
我们知道，减反射的原理就是让如图2.8 所示的两束反射光R
1、R2 产
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生相消干涉，即它们的光程差为半波长。可以通过调整制备工艺来获得合适厚度和折射率的Si3N4 薄膜，使其满足减反射条件。氮化硅薄膜在起到减反射作用的同时，还可以对硅片表面和体内进行钝化。由于多晶硅表面存在很多的表面态、晶界[10]、缺陷以及位错等，在薄膜沉积过程中，大量的H 原子（离子）进入薄膜，饱和了硅片表面大量的悬挂键，起到降低表面复合中心的作用，从而提高太阳能电池的短波响应与开路电压。氮化硅薄膜的体钝化作用对于多晶硅太阳能电池来说特别明显，因多晶硅体内存在大量的缺陷、位错以及悬挂键，氮化硅薄膜中的氢原子可以在烧结时的高温条件下扩散到硅体内，进而饱和绝大部分缺陷以及悬挂键，有效降低了少数载流子复合中心浓度，增加少子收集能力，提高短路电流。
氮化硅薄膜是一种物理和化学性能都十分优良的介质膜[11]。它不仅具备减反射和钝化的作用，同时在光电领域也有一席用武之地。例如：氮化硅薄膜极硬而且耐磨，非晶态硬度高达HV5000；结构非常致密，气体和水汽极难穿过；疏水性强，可大大提高器件的防潮性能；较好的化学稳定性，在600℃时不会与铝发生反应，而二氧化硅在500℃时与铝反应已比较显著。对可动离子(如Na+) 有非常强的阻挡能力；可靠的耐热性和抗腐蚀性，在1200℃时不发生氧化；在一定浓度的硫酸、盐酸中有较好的抗腐蚀性，只能用氢氟酸腐蚀等。
2.5 丝网印刷工艺及其原理
丝网印刷工序，就是在镀膜后硅片的正反两面印刷电极、背电场，经过烧结后使其能够很好的收集光生电流并顺利导出，实现电能与光能之间的高效转化。丝网印刷和高温快烧是构成金属化工序的主要组成部分。
图2.11 丝网印刷工艺的原理图
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丝网印刷的原理，就是将带有图案的模板附着在丝网上，利用图案部分网孔透过浆料，而非图案部分不透浆料的特征来进行印刷。丝网印刷工艺由5部分构成，即丝印网版、印刷刮刀、电子浆料、印刷台面和承印物，如上图2.11所示。印刷时，在网版一端倒入浆料，并用刮刀对网版中的浆料边施加压力边朝另一端推动。浆料在移动的过程中透过网孔被刮刀挤压到承印物上。由于印刷过程中，刮刀、丝网印版、承印物三者始终呈线接触，且浆料具有一定得粘性，这样就确保了印刷质量和印刷精度。
丝网印刷工序可细分为浆料的印刷和浆料的烘干处理两部分。电极浆料主要使用的是电子浆料，它由四部分组成：由贵金属及其混合物构成的金属粉末，在整个成分中充当导电相，决定了电极的电性能；无机粘合剂和有机粘合剂，决定了烧结前后电极与半导体的接触情况，合适的配比，可以有效加强电极和硅片之间的抗拉伸能力；其它添加剂，主要是起到润滑，增稠，流平和增加触变的作用。
丝网印刷工艺的制备目标因浆料种类、电极位置以及电极作用不同而不同。对于起收集光生载流子并对外导出电流作用的正Ag 电极来说，我们希望印刷后制得的正电极具备较低的遮光面积、金属栅线电阻以及金属半导体欧姆接触电阻；对于起汇集背面电流并对外导出电流作用的背Ag/Al 电极来说，我们希望其能与涂锡焊带、硅片背表面以及铝背场[12]形成良好的接触，使串联电阻Rs 降低；对于起收集背部载流子并对背面进行钝化作用的Al 背电场来说，我们希望其能在硅片背表面引入均匀的p+层，尽可能的降低背面光生载流子复合几率，同时还需控制背场印刷所引起的翘曲度弯曲。每一道印刷工序后的烘干，实际上是为了使硅片表面电子浆料中的有机溶剂挥发，形成可与硅片紧密粘结的固体状金属膜层。
烘干后的烧结工艺，实际上是为了使硅片和电极间形成良好的欧姆接触。首先，将半导体多晶硅和金属电极加热到共晶温度，此时半导体内的硅原子将按某种比例快速向熔融的合金电极中扩散。合金电极中的多晶硅原子数目由电极材料的体积和合金温度决定，电极材料的体积越大，烧结温度越高，则合金电极中的硅原子数目越多。如果此时温度骤降，将会在合金电极附近出现再结晶层，即固态硅原子从金属和硅界面处的合金中析
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出，生长出外延层。如果外延层中含有足够的杂质成分，则获得了良好合金结，同时也形成了良好的金属半导体欧姆接触[12]。
烧结采用红外加热的方式进行高温快烧，主要是为了让硅片表面的正电极穿透氮化硅薄膜，与硅片之间形成良好的欧姆接触，降低串联电阻，提高填充因子；促进镀膜工序引入的氢原子向硅体内扩散，增强其对硅的体钝化作用；形成均匀良好的铝背场，提高开路电压。
2.6 测试分选工序及其太阳能测试仪的原理
太阳能测试仪最初主要用来测量太阳能电池片的电性能参数，但随着测试技术的发展，目前集成的太阳能电池测试系统还可以进行EL测试（太阳能电池组件缺陷检测）、外观测试。太阳能电池测试系统要求：能够根据测试时间控制太阳光模拟器的开关，通过采样电路、温度传感器和数据采集卡(DAQ)读取太阳能电池的即时电流、电压和相应的温度及光谱测量值等参量，经过计算机的数值运算处理，得到逼近标准测试条件下的I值和V 值，从而绘出逼近标准测试条件下的I/V 特性曲线[13]。下图3.12为太阳能电池测试仪的结构图，其中采用高压短弧氙灯来模拟自然光。
图3.12 太阳能电池硬件测试系统框图
地面用太阳能电池的国际标准测试条件为：辐照度：1000W/m；电池
2温度：25℃；光谱分布：AM1.5[14]。通常，我们采用太阳能模拟器来模拟上述测试条件，进行多晶硅太阳能电池片的I-V 曲线测试。模拟光与自然光相比，具有以下优点：模拟光可选择性好，比如连续发光或闪光；模拟光的辐照度相对稳定，且在一定范围内可调；模拟光使用范围广，不受时间、气候等因素限制；模拟光便于与生产线集成光伏测量系统；另外，与自然光相比，模拟光光谱分布的稳定性较好，测试可重复性高；实际的自然光
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光谱与国际标准测试条件要求的有差异，且不稳定。种种原因表明，模拟光更适用于光伏测试系统的集成。
因太阳能光伏组件最终是在露天的环境下使用，所以太阳能测试仪的电性能测试结果应尽可能的与户外使用结果相拟合。常见的太阳能测试仪运用氙灯来模拟自然光，如下图2.13 所示为氙灯与AM1.5 光谱对比图[15]。
图2.13 氙灯与AM1.5 光谱对比图
由上图可得，AM1.5 光谱在可见光区与氙灯光谱十分相似，而多晶硅太阳能电池片的主要光吸收区即是可见光区，因此，氙灯被广泛的用来模拟太阳光。
太阳能电池各电性能参数的测试原理[16]：短路电流（Isc）：国际标准测试条件下，电池外电路短路时的输出电流；开路电压（Voc）：国际标准测试条件下，电池外电路断开时的端电压；最大功率（Pmax）：电池输出特性曲线上，I·V 乘积最大时所对应的功率；串联电阻（Rs）：指与P-N 结串联的电池内部电阻，主要由硅体电阻、欧姆接触电阻、发射区电阻等组成；并联电阻（Rsh）：指跨连在电池两电极间的等效电阻；填充因子（FF）：Pmax 与（Voc·Isc）之比；转换效率（η）：Pmax 与电池所受总辐射功率的百分比。 2.7 小结
本章要主要论述了多晶硅太阳能电池制备流程（一次清洗→ 扩散→ 湿法刻蚀去背结→ PECVD →丝网印刷→ 烧结→测试分选），以及制备原理和过程。
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第三章 多晶硅太阳电池行业展望
太阳能光伏上下游产业链，包括上游的硅材料、光伏电池制造与封装工艺、支撑行业和光伏发电应用等领域。
目前重庆首例居民分布式光伏发电项目成功并网
[17]
，如下图，这充分说明光伏产业在逐步深入市场，并将有更广阔的民用市场。
图－居民光伏发电项并网
纵观整个光伏市场走势，虽然目前太阳能行业处于市场低迷期，但随着工艺的改进和制造成本的降低以及国内市场的逐步打开，同时企业也要节能减材，不断进行低迷期技术潜能性研究，会使太阳能行业最终走向市场供不应求或供需平衡的态势。
由于多晶硅太阳能电池是目前相比与单晶硅和多晶硅的转换效率高且能批量生产的一种太阳能能电池，多晶硅电池的制作工艺不断向前发展，保证了电池的效率不断提高，成本下降，随着对材料、器件物理、光学特性认识的加深，导致电池的结构更趋合理，实验室水平和工业化大生产的距离不断缩小，各工艺如丝网印刷和埋栅工艺为高效、低成本电池发挥了主要作用，高效Mc—Si电池组件已大量进入市场，随着工艺的不断优化，生产成本的不断降低，多晶硅将对于光伏建筑、光伏发电、光伏水泵等有广阔的前景。
光伏发电技术若想快速大规模普及，必须实现高效、低成本。高效是降低成本的另一种方式。目前推出的可实现量产的新型高效多晶硅太阳能电池，均是在常规制备工艺的基础上改进得来，也就是说，前者若想发挥高效的潜能，前提是常规多晶硅太阳能电池制备工艺成熟且达到最优化。我国目前光伏技术仍处于低级阶段，制备工艺仍不完善，还有很大的优化以及改进空间。
多晶硅太阳能电池制备工艺
参考文献
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3[16]狄大卫，高兆利，韩见殊，等.应用光伏学.上海：上海交通大学出版社，2009
[17]重庆电力公司，中新能源频道，科技日报2013年05月10日
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致 谢
本论文是在导师胡耐根老师的悉心指导和关怀下完成的。感谢胡老师对我的辛勤指导和培育。从论文的立题到论文的撰写整个过程无不浸透着老师的心血。他广博的学识，严肃的科学态度，严谨的治学精神，灵活的思维方式，耐心细致的言传身教深深感染激励着我，将使我终身受益。导师不但在学习上给予我耐心细致的指导，在生活中也给了我关怀，这份师恩我将终身难忘。
同时感谢同组同学在完成论文中给予的帮助。我们在完成论文的过程中与同学互相讨论、互相协作下建立深厚的感情，同时我也学到了每个同学的为人处事的精神。另外，我要感谢在这几年来对我有所教导的老师，他们孜孜不倦的教诲不但让我学到了很多知识，而且让我掌握了学习的方法，更教会了我做人处事的道理，在此深表感谢。我还要向我的同学们表示感谢，感谢10级光伏材料(1)班所有同学以及丁辅导员对我生活和学业上的关心和帮助,我为自己能够在这样一个温暖和谐的班级体中学习工作，深感温暖、愉快和幸运。
最后向多年默默支持我和关心我，不断给我信心、支持我上进，使我顺利完成大学学业的家人，特别是我的父母，献上我最真挚的谢意和最美好的祝福。
第18篇：国家标准节水型企业多晶硅行业
国家标准《节水型企业 多晶硅行业》
（预审稿）编制说明
一、工作简况
1、立项目的及意义
硅产业作为有色金属工业重要的产业，其产品工业硅、有机硅和多晶硅，近年来一直受到国内外相关行业的关注。特别是多晶硅作为光伏发电以及电子半导体芯片产业的重要材料，其下游应用领域已经渗透到国防、军工、航天、通讯、新能源等各行各业中，其重要低位可不忽视。
多年以来，无论是工业硅、有机硅还是多晶硅，在美国、欧洲等市场都是作为战略性小金属。上世纪90年代，中国成功生产工业硅，并开始少量出口，欧美市场马上进行反击，对我国实施了25年以上的反倾销制裁。新世纪之后，我国有机硅行业突破技术封锁，实现产业化生产，欧美企业马上进行倾销打压其产业发展。同样在多晶硅方面，2008年之后，我国多晶硅生产逐步实现规模化生产，但是在海外企业倾销的背景下，2012年底多晶硅全行业停产。虽然在国家扩大光伏应用以及反倾销的政策支持下，多晶硅行业快速成长，但是来自海外的恶意倾销依旧延续。目前，我国硅产业发展取得的成绩来之不易，应将其定位至国家战略层次。
2016年底，多晶硅有效产能约21万吨/年 , 2017年上半年，多晶硅有效产能约24.3万吨/年, 其中江苏中能7.4万吨，新特能源3.6万吨，石河子大全2万吨，洛阳中硅1.8万吨，乐山永祥1.8万吨，青海亚硅1.5万吨，江西赛维1万吨，内蒙盾安0.8万吨，宜昌南玻0.8万吨，神舟硅业0.5万吨等，预计2017年底中国多晶硅产能已超过28万吨/年，多晶硅企业数量18家， 2018年产能将进一步扩张，有东方希望、保利协鑫、北京利尔等多个多晶硅企业落户新疆，随着产能的逐渐增加，对资源的需求量也逐渐加大，对人类生存环境的不利影响也日益凸显，清洁生产、节能减排任务艰巨。为落实《中华人民共和国清洁生产促进法》等相关政策要求，实现国家节水目标，规范和指导企业的生产经营，制定该行业的节水型企业国家标准非常迫切。
2、任务来源
根据国家标准委《关于下达2017年第二批国家标准修订计划的通知》，全国节水标准化技术委员会 （全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会）归口，由新特能源股份有限公司负责修订《节水型企业 多晶硅行业》，计划编号20171757-T-469，计划完成时间为2019年。
1
3、编制单位简况
新特能源股份有限公司，成立于2008年，主要推崇绿色制造、循环经济发展模式，在致力太阳能光伏产业链建设的基础上，从循环经济的减量化、再利用和循环使用原则出发，采用全闭环的多晶硅生产工艺。建立纳米材料分公司、新能建材有限公司，利用多晶硅生产中副产物四氯化硅生产气相二氧化硅，利用发电过程产生的煤渣、粉煤灰等生产加气块，变废为宝。被评为国家“优秀循环经济企业”。生产、研发、销售高纯多晶硅、多晶硅/单晶硅硅片、高纯四氯化硅、气相二氧化硅等产品，并提供硅产业技术服务，主导产品为多晶硅，目前，多晶硅生产规模达到15000吨/年，居世界前八位，中国前三位。
新特能源股份有限公司坚持机制创新、体制创新、科技创新、管理创新、文化创新的创新求变理念，2012年经新特能源股份有限公司高层领导研究决定在新特能源股份有限公司质检中心的基础上组建了新疆新特新能材料检测中心有限公司，本公司于2013年和2014年两年间相继取得CMA和CNAS资质，本公司实验室有效建筑面积6540m2，其中十万级恒温空间占地6340 m2，千级高洁净间占地756 m2；实验室仪器配置涵盖了气相、液相色谱，光谱、质谱等常规及高尖端分析检测仪器,超洁净的环境、高尖端的设备为无机痕量级分析奠定了基础，这些设备为后续的多晶硅实验检测提供了良好的硬件设施及条件。
4、主要工作过程
接到标准制定任务后，新特能源股份有限公司在全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会的组织下，成立了标准编制组。标准编制组充分调研了多晶硅行业各生产单位的取水量、水资源消耗及水循环利用率等技术水平，2017年2月制定了《节水型企业 多晶硅行业》的国家标准草案，并发行业内各专家广泛征求意见。并于2017年6月形成了讨论稿。
2017年10月26日，由全国半导体材料标准化分技术委员会组织，在广东省东莞市召开《节水型企业 多晶硅行业》（国家标准）任务落实工作会议，共有洛阳中硅高科技有限公司、有研半导体材料有限公司、江苏中能、神舟硅业、亚洲硅业、黄河水电、内蒙古盾安等10个单位20位专家参加了本次会议。与会专家对标准资料从标准技术内容和文本质量等方面进行了充分的讨论。专家对本标准制定提出了几点意见：
1.与会专家指出针对本标准的技术要求考核指标只从两个方法进行考虑，一个是三氯氢硅法，一个是硅烷法。
2.在考核指标的制定上应该考虑两个方面：一个所定指标不能和《国家光伏行业生产
2
规范》中针对企业准入要求水循环利用率的指标相互冲突；二是考虑企业节水相关的3个问题，第一：企业所处地理位置，南北方的因为气候有所差别水蒸发量也会不同；第二：工艺冷却设备的使用；第三：工艺方法的不同。
3.在会议之后由半导体标委会统一发出调查问卷，所有多晶硅生产企业均需根据自身生产实际情况进行指标的填写，完成后统一加盖公章提交之标委会。再由标委会统一将企业名称用ABC字母替代后反馈至起草单位。
根据与会专家意见，《节水型企业 多晶硅行业》标准编制组，会后3个月内应修改完成征求意见稿及编制说明，发相关的企事业单位广泛征求意见，包括对各企业多晶硅产能、平均最高温度、平均最低温度、单位新鲜水单耗、废水回收率、蒸汽冷凝液回收率、脱盐水制取系数、超纯水制取系统、水重复利用率、用水综合损失率、单位排水单耗等技术参数，根据调研结果进行了标准技术内容修订，根据征求意见情况填写意见汇总处理表，并于2018年9月修改完成预审稿及编制说明。
二、本标准编制的原则和主要内容 1.标准编制原则
1.1.本标准的编写格式按国家标准GB/T1.1-2009《标准化工作导则 第1部分：标准的结构和编写》的统一规定和要求进行编写的。
1.2.本标准在编制过程中，结合目前国内多晶硅企业的实际水耗及水资源综合利用等参数要求，并综合考虑了行业的实际需求与未来一段时间内的技术发展要求。2.本标准的主要内容及确定依据
目前国内的多晶硅工艺都采用改良西门子法，改良西门子法生产工艺的优点是成本低、节能降耗、生产出的多晶硅产品质量高、综合利用技术较高，而且最主要的是整个生产环节对环境无污染，这在市场中具有很大的竞争优势。
3
以上为改良西门子法生产工艺流程，用水环节主要是生产用循环水、脱盐水、超纯水、废气残液淋洗用水等，其中大部分水回用至系统。改良西门子法取用水的方式：主要用于废气残液系统新鲜水喷淋和稀释碱液使用，同时用新鲜水制备多晶硅生产过程中需要的脱盐水及超纯水。
本标准制定的主要工作就是对多晶硅行业所有生产和在建企业进行数据调研，结合各单位实际情况进行参数确定，贯彻科学发展观，促进节水型社会建设。结合各公司目前生产现状，体现标准的科学性、先进性、合理性及经济适用性。具体调研数据如下：
水系统数据调研统计表调研数据（以2017年数据）序号1234567891011项目名称多晶硅平均最高温度平均最低温度单位新鲜水单耗废水回收率蒸汽冷凝液回收率脱盐水制取系数超纯水制取系统水重复利用率用水综合损失率单位排水单耗单位1吨℃℃t/t%%————%%t/t20199.7742.2-36.8137.11————————————51.928100.9542-5181.0813.26%57%2.2——99.18%7%66.663507621.9-13.121639%90%0.75——5.45%1%26.7543000041.5-3711525%76.71%1.651.7499.15%7%305——————115————————————356650016.43.820020%90%608370%7%507827734.3-11105.0640%81%2.12——99.40%6.69%55.2818211270167.850%100%1.6——97%2%48.339235230-2025426%70%1.10.3564%2%——12339.5931.91-14.89165.6730%81%1.891.7498.68%6.92%45.48——————150.0030%90%两级反渗透：2.0一级反渗透+EDI:1.65两级反渗透：2.2一级反渗透+EDI:1.8099.00%7.00%45.00平均值建议值备注调研企业1提供数据单位新鲜水单耗和单位排水单耗采纳其提供数据。调研企业2提供单位新鲜水单耗、废水回用率、蒸汽冷凝液回收率、脱盐水制取系数、水重复利用率、用水综合损失率、单位排水单耗采纳以上数据。调研企业3提供单位新鲜水单耗、废水回用率、蒸汽冷凝液回收率、单位排水单耗采纳以上数据。脱盐水制取系数、水重复利用率、用水综合损失率三个数据不采纳，其中脱盐水制取系数0.75，与脱盐水制取系数计算公式不符而不采纳；水重复利用率数据异常而不采纳；用水综合损失率1%，数据异常，低于系统损失量而不采纳。调研企业4提供单位新鲜水单耗、废水回用率、蒸汽冷凝液回收率、脱盐水制取系数、超纯水制取系数、水重复利用率、用水综合损失率、单位排水单耗采纳以上数据。调研企业5提供数据单位新鲜水单耗和单位排水单耗采纳其提供数据。调研企业6提供单位新鲜水单耗、废水回用率、蒸汽冷凝液回收率、用水综合损失率、单位排水单耗采纳以上数据。脱盐水制取系数、超纯水制取系数、水重复利用率三个数据不采纳，其中脱盐水制取系数60，与脱盐水制取系数计算公式不符而不采纳；超纯水制取系数83，与超纯水制取系数计算公式不符而不采纳；水重复利用率数据异常而不采纳。调研企业7提供单位新鲜水单耗、废水回用率、蒸汽冷凝液回收率、脱盐水制取系数、超纯水制取系数、水重复利用率、用水综合损失率、单位排水单耗采纳以上数据。调研企业8提供单位新鲜水单耗、废水回用率、蒸汽冷凝液回收率、脱盐水制取系数、超纯水制取系数、水重复利用率、单位排水单耗采纳以上数据。用水综合损失率为2%，数据异常，低于系统损失量而不采纳。 4
三、标准水平分析
本标准为多晶硅各生产企业水消耗做出了限定，是响应国家环保能源节约的发展要求。本标准总体水平为国内先进水平。
四、与现行相关法律、法规、规章及相关标准，特别是强制性标准的协调性
本标准属于硅单晶的分析方法标准，没有现行的法律、法规、规章制度等对其要求，本领域没有强制性标准，本标准与现行法律、法规和相关标准相协调、无冲突。
五、专利及涉及知识产权
本文件起草过程中没有检索到专利和知识产权问题，如果涉及到专利和知识产权时请使用单位与专利和知识产权方协商，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
六、分歧意见的处理经过
编制组根据起草前确定的编制原则进行了标准起草，标准起草小组前期进行了充分的准备和调研，并做了大量调查论证、信息分析和实验工作，在标准在主要技术内容上，行业内取得了较为一致的意见，标准起草过程中未发生重大分歧意见。
七、标准作为强制性或推荐性国家（或行业）标准的建议
本标准为多晶硅企业用水限定标准，适用于多晶硅生产企业建议为推荐性标准。
八、废止现行有关标准的建议 无
九、推广应用的预期效果
本标准的发布和实施能有效的规范我国硅材料生产中用水量，促使多晶硅生产企业优化工艺，节约用水，提高水资源的循环利用率，能推动多晶硅行业的技术进步，具有良好的经济和社会效益。
新特能源股份有限公司
2018年9月
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第19篇：装置办公楼及主控室装修工程
280万吨/年柴油加氢装置办公楼及主控室装修工程
由公司承建的280万吨/年柴油加氢装置办公楼及主控室装修工程是公司2016年的重点工程，主体为框架结构，配电间及办公楼总建筑面积2600㎡，高17.9米，主控室建筑面积450㎡，建筑高度6.2米。该项目的目视化装修施工包括吊顶工程、电气工程、内外墙涂料、地面砖工程、理石干挂工程、断桥铝门窗工程及机柜间防静电地面等。
自4月20日进入现场至今，公司投入了400多名工程人员，安排主要技术人员在保证质量、安全的前提下抢工期、抢进度，目前已完成主控室墙面干挂砖；吊棚吊筋；配电间及办公楼内墙装饰已完成了四分之三；
二、四楼的配电室、配电盘已将安装到位；卫生间、男女更衣室及副操作间近2000平墙地砖施工已经铺贴完成，断桥铝窗及百叶窗已经全部安装完成。目前负责通风系统的承包商正在做前期的准备工作，新的通风管道安装完毕移交后进行吊棚工作，预计20天左右可以达到主控室整体完工。
新建车间停车棚
车棚改造工程由公司承建，队长多次指示进行统一规划，尽快改变原来车子随意停放的混乱现象。车棚改造项目的总原则是集中设置、统一管理，满足目视化要求，外观新颖大方。自工程任务下发后，公司认真制定施工方案，几经推敲，周密研究部署，从场地平整、余土外运、砼基础、钢骨架、阳光板、挡车器安装都周密布置、安排有序。车棚改造施工体现公司提出的车棚集中设置、集中管理理念，从设计到施工均由我们自行承担，在选址上统筹规划、反复推敲，和相邻建筑物的距离位置相协调（房屋一般3米以上，管廊、线桥1.5米）。新车棚体现三个功能：一是摆放整齐；二是安装挡车器后自行车再也不倾倒；三是在车棚间制作宣传板，作为公司的宣传阵地，如此设计使得实用功能与辅助功能相得益彰。外形设计采用具有锦州滨海城市特点及锦石化特色的中油蓝色，整体外观具有飞翔的艺术感觉，体现锦州石化发奋图强、实现腾飞的精神面貌，符合总公司目视化方向和公司领导的要求，保证简洁实用。在阳光板设计时与厂家联系调试了几次颜色，最后选用透光率低的中油蓝色，既环保又能在炎热的夏日让棚内的自行车减少烈日的暴晒。
继2015年车棚改造工程完工后，2015年7月8日，在公司大修调度会上，公司领导指示，在车间新建一处车棚，保证大修期间施工现场停车秩序。同时也解决了车间原有的自行车停放问题。新建停车棚两排，共计25.2米，能够停放自行车120余辆，在接到公司上级部门的通知后，公司克服大修期间施工紧张等问题，迅速组织技术人员联系车间，到现场实地定位、测量、确定方案，同时安排施工人员准备各种工、机具。为了保证能够按时交工，保证大修期间现场良好的施工秩序，公司领导亲自到现场指挥，当天下午，即开始放线施工。由于雨大的原因，施工曾一度停止，但是领导和工人们克服天气不良等因素，每天早七点加班到晚上10点以后，经过四天时间的努力，终于在7月12日顺利完成任务，按时达到大修指挥部的要求。
第20篇：多晶硅生产中节能降耗探讨论文
摘要：研究了不同供料与功率比值对多晶硅还原电耗和一次转化率的影响，对指导实际生产具有重要意义。
关键词：多晶硅；还原；供料与功率比值
进入21世纪以来，随着太阳能光伏发电技术的快速发展和广泛应用，多晶硅产业以惊人的速度迅猛发展和壮大。面对当前世界性传统能源日益枯竭和气候变暖的严峻形势，太阳能作为可再生洁净能源受到了各国的高度重视，许多国家都已将太阳能发电的原材料高纯多晶硅列为战略性材料。当前，在国内外市场的双重压力下，多晶硅价格一路降低，加上国内多晶硅生产成本远高于国际先进水平，使得国内各多晶硅企业面临极大的生存压力，因此如何降低生产成本已成为各企业的首要任务。本文主要围绕改良西门子法生产多晶硅的还原工序，对还原炉供料和硅棒功率等参数进行研究，为还原炉运行优化提供参考依据。
1多晶硅还原工序简介
多晶硅还原工序是生产多晶硅成品的环节，其核心设备是气相沉积反应器，也就是通常所说的还原炉，它的控制水平直接关系到多晶硅的产量、成本和质量。还原工序生产过程如下：一定摩尔比的氢气和三氯氢硅混合气在一定压力下通入到还原炉内，在直径8~15mm、长2.2~2.8m的导电硅芯上进行气相沉积反应生成多晶硅，硅棒表面温度控制在1050~1100℃，经过一定时间后长成规定直径的硅棒，反应同时生成四氯化硅、二氯二氢硅及氯化氢等副产物。
2研究方法
本文结合生产实际，在其他因素不变的情况下，将混合气流量与硅棒功率的比值作为研究对象，选取不同供料与功率比值的炉次进行对比，并对运行结果进行分析和总结。
3结果及讨论
3.1不同比值对电耗的影响
通过将还原炉供料与硅棒功率进行关联，得出了两者不同比值时的还原电耗情况，如图1所示。从上述趋势线可以看出，在还原炉供料与功率比值从0.5提至0.9的过程中，还原电耗变化呈抛物线趋势，即先快速下降，达到最低点后又逐步上升，这说明不同的进料比值对还原电耗的影响较大，当比值较小时，还原炉的进料量小，硅棒生长速度较慢导致电耗偏高；而比值较大时，还原炉的进料量增大，硅棒生长速度虽然加快，但同时混合气所带走热量也相应增加，同样也使得还原炉的电耗增加，因此，只有选择合适的供料与功率比值才能保证还原炉的电耗处于最佳水平。
3.2不同比值对一次转化率的影响
同样按照上述方法得出了不同供料与功率比值时还原炉的一次转化率情况。从上述曲线可以看出，在还原炉供料与功率比值从0.5提至0.9的过程中，一次转化率一直呈下降趋势，这是因为比值较小时，还原炉内供料较少，可供反应的物料相对不多，通入到还原炉内物料能够有效的参与反应，因此一次转化率较高；而当比值较大时，还原炉内供料较多，通入到还原炉内的物料有相当一部分还未参与反应就已被带出去，因此一次转化率较低。从上述数据分析可以看出，多晶硅还原电耗和一次转化率这两个指标在实际生产中存在一定矛盾，因此不同的企业需根据自身特点选取合适的供料与功率比值，已保证生产能够达到最佳的平衡点。
4结语
在实际的多晶硅还原生产过程中，根据自身还原炉的特点，研究并选取合适的供料与功率比值，对优化还原炉生产，降低还原电耗，提高一次转化率具有重要的指导意义。
参考文献：
[1]苗军舰等.西门子法生产多晶硅的热力学[J].无机化学学报,2007,(5):796.
